Курсовая работа: Разработка интегральных микросхем
12
16
11
16
7
Коэффициент диффузии электронов, см2 /c
33,6
98
220
2200
2,6…3,9
Коэффициент диффузии дырок, см2 /с
12,2
47
11,2
18
0,5…0,77
Ширина запрещенной зоны, эВ (Т = 300 К)
1,12
0,67
1,41
0,18
3,1
Таблица 2.3 - Ширина запрещенной зоны (в эВ) элементарных полупроводников (при T=300K) [5, стр. 134]
|
Элемент |
|
|
Бор |
1.1 |
|
К-во Просмотров: 574
Бесплатно скачать Курсовая работа: Разработка интегральных микросхем
|
Э