Реферат: ЭТПиМЭ
Когда на входы многоэмиттерного транзистора VT1 поданы уровни логического нуля переходы база - эмиттер смещаются в прямом направлении. Ток, задаваемый в его базу через резистор R1 проходит в цепь эмиттера. При этом коллекторный ток VT1 уменьшается, поэтому транзистор VT2 закрывается. Транзистор VT4 также закрывается (т.к. VT2 перекрыл доступ тока к базе VT4 ). На выход, через открытый эмиттерный переход VT3 попадает уровень логической единицы - на выходе ²1².
2.1.3. Любая иная комбинация.
Например: Х1 = 1; Х2 = 0; Х3 = 1; Х4 = 1
Когда хотя бы на один любой вход многоэмиттерного транзистора VT1 подан уровень логического нуля соответствующий (тот на который подан ²0²) ² В ² переход база-эмиттер смещается в прямом направлении (открывается) и отбирает базовый ток транзистора VT2 . Получается ситуация как в пункте 2.1.1.
2.2. Таблица состояний логических элементов схемы.
| Х1 | Х2 | Х3 | Х4 | Uвх1 | Uвх2 | Uвх3 | Uвх4 | VT1 | VT2 | VT3 | VT4 | Uвых | Y |
| 1 | 1 | 1 | 1 | 5 | 5 | 5 | 5 | Закр | откр | закр | откр | 0,2 | 0 |
| 0 | 0 | 0 | 0 | 0,2 | 0,2 | 0,2 | 0,2 | Откр | закр | откр | закр | 5 | 1 |
| 0 | 0 | 1 | 1 | 0,2 | 0,2 | 5 | 5 | Откр | закр | откр | закр | 5 | 1 |
2.3. Таблица истинности.
На выходе схемы появится уровень логической единицы при условии, что хотя бы на одном, но не на всех входах ²1². Если на всех входах ²1², то на выходе ²0².
| Х1 | Х2 | Х3 | Х4 | Y |
| 0 | 0 | 0 | 0 | 1 |
| 0 | 0 | 0 | 1 | 1 |
| 0 | 0 | 1 | 0 | 1 |
| 0 | 0 | 1 | 1 | 1 |
| 0 | 1 | 0 | 0 | 1 |
| 0 | 1 | 0 | 1 | 1 |
| 0 | 1 | 1 | 0 | 1 |
| 0 | 1 | 1 | 1 | 1 |
| 1 | 0 | 0 | 0 | 1 |
| 1 | 0 | 0 | 1 | 1 |
| 1 | 0 | 1 | 0 | 1 |
| 1 | 0 | 1 | 1 | 1 |
| 1 | 1 | 0 | 0 | 1 |
| 1 | 1 | 0 | 1 | 1 |
| 1 | 1 | 1 | 0 | 1 |
| 1 | 1 | 1 | 1 | 0 |
|
- Схема выполняет логическую функцию²И-НЕ². |
2.4. Расчет потенциалов в точках.
2.4.1. Комбинация 0000.
При подаче на вход комбинации 0000 потенциал в точке ² A ² складывается из уровня нуля равно 0,2 В и падения напряжения на открытом p-n переходе равном 0,7 В. Значит потенциал в точке ² A ² Uа = 0,2 + 0,7 = 0,9 В.
Транзистор VT2 закрыт (см. п. 2.1.2.) ток от источника питания через него не проходит поэтому потенциал в точке ² B ² Uб = Eпит = 5 В. Транзистор VT2 и VT4 закрыт, поэтому потенциал в точке ² C ² Uс =0 В. Потенциал в точке ² D ² складывается из Епит = 5 В за вычетом падения напряжения на открытом транзис-торе VT3 равным 0,2 В и падения напряжения на диоде VD2 = 0,7 В. Напряжение Ud = 5 - ( 0,2 + 0,7 ) = 4,1 В.
2.4.2. Комбинация 1111.
При подачи на вход комбинации 1111 эмиттерный переход VT1 запирается, через коллекторный переход протекает ток. На коллекторный переход VT1 подают напряжение равным 0,7 В. Далее 0,7 В подают на диоде КD1 и открытом эмитторном переходе транзистора VT2 , а также на открытом эмиттерном переходе транзистора VT4 . Таким образом потенциал в точке ² a ² Ua = 0,7 + 0,7 + 0,7 + 0,7 =2,8 В. Потенциал в точке ² C ² Uс = 0,7 В. (Падение напряжения на эмиттерном переходе VT4 ).
Потенциал в точке ² B ² напряжение базы складывается из потенциала на коллекторе открытого транзистора VT2 = 0,2 В и падения напряжения на коллекторном переходе транзистора VT3 = 0,7 В. Напряжение Uб = 0,2 + 0,7 = 0,9 В. Потенциал в точке ² D ² напряжение Ud = 0,2 В. (Напряжения на коллекторном переходе открытого эмиттерного перехода VT4 ).
2.4.3. Любая иная комбинация.
При подачи на вход любой другой комбинации содержащей любое количество нулей и единицу (исключая комбинацию 1111) приведет к ситуации аналогичной п.3.2.1.
2.5. Расчет токов.
2.5.1 Комбинация 0000.
2.5. 2 Комбинация 1111.
2.6. Расчет мощности рассеиваемой на резисторах.
2.6.1 Комбинация 0000.
PR1 = IR1 × U R 1 = 1,025 × (5-0,9)=4,2 мВт
PR 2 = IR 2 × U R2 = 0 мВт
PR 3 = IR 3 × U R 3 = 0 мВт
2.6.2 Комбинация 1111.
PR1 = IR1 × U R 1 = 0,55 × (5-2,8) = 1,21 мВт
PR 2 = IR 2 × U R2 = 2,05 × (5-0,9) = 8,405 мВт
PR 3 = IR 3 × U R 3 = 0,38 × 0,7 = 0,266 мВт