Реферат: ЭТПиМЭ

2) В качестве транзистора n-p-n используем транзистор КТ331.

Эксплутационные данные:

U_{max кэ} = 15 В

U_{max бэ} = 3 В

I _{к max} = 20 мА

3) В качестве диодов использован диод 2Д910А-1

Эксплутационные данные:

U _{об р} = 5 В

I _пр = 10 мА

Проверим удовлетворяет ли мощность рассеивания на резисторах максимальной мощности рассеивания для материала из которого изготовлены резисторы, а именно для пасты ПР-1К у которой P₀ = 3 Вт/см² .

Для R₁

P_{1 max} = 4,2 мВт

S_R1 =× b = 2 × b = 2 × 0,5 = 1 мм²

Необходимо чтобы P₀ ³ P_{1 max} , т.е. условие выполняется.

Для R₂

P_{2 max} = 8,4 мВт

S_R2 =× b = 2 × b = 1 × 0,5 = 0,5 мм²

Необходимо чтобы P₀ ³ P_{2 max} , т.е. условие выполняется.

Для R₃

P_{3 max} = 0,26 мВт

S_R2 =× b = 2 × b = 2,25 × 1,25 = 2,82 мм²

Необходимо чтобы P₀ ³ P_{3 max} , т.е. условие выполняется.

3.3. Топологический чертеж ГИМС (масштаб 10:1).