Для элементов, работающих в ограниченном, вплодь до единственной частоты, диапозоне частот на параметры могут быть выражены единственными значениями L,R,C эквивалентных элементов, представленных схемами рис.4. Аттестация элемента с помощью схем рис.3а,б расширяет частотный диапозон модели. Описание с помощью "черного ящика" (рис.3в) позволяет получить точное значение параметров при заданных частотах. С другой стороны модели типа рис.1 могут быть представленны в виде

, (1)

или

, (2)

Такие же выражения могут быть использованны для полного сопротивления (Z(w)).

3. Методы измерения параметров радиоэлементов

3.1 Классификация методов измерения

Для измерения параметров радиоэлементов используются следующие принципы, учитывающие особенности подключения объекта и сигналов:

разделение напряжения и тока (для двухполюсников);

сравнение двухполюсника с образцовым в мостовых схемах;

определение резонансной частоты или ее изменения;

изменение напряжений и (или) токов на выходе и входе;

разделение падающих и отраженных волн;

выделение падающих и отраженных волн на входе и выходе;

анализ картины стоячей волны;

сравнение двухполюсника с образцовой мерой в схеме с конечными нагрузками;

сравнение многополюсника с образцовыми мерами в схемах с конечными нагрузками.

Структуры измерителей определяют три основные группы.

В состав первой группы входят измерители параметров элементов со сосредоточенными постоянными :

сопротивлений (отношений напряжения к току);

индуктивности и емкости по комплексным сопротивлениям на известной частоте;

двухполюсников в мостовых схемах переменного и постоянного токов;

резонансной частоты (Q-метры).

Вторую группу образуют измерители СВЧ элементов с распределенными параметрами:

приборы, основанные на анализе стоячей волны в измерительной линии с подвижным зондом или набором фиксированных зондов;

приборы, основанные на разделении и измерении комплексных амплитуд сигналов падающих и отраженных волн направленными ответвителями.

Третью группу составляют устройства реализующие способы сравнения многополюсников с активными или комплексными образцовыми мерами путем анализа векторных отношений комплексных напряжений:

устройства с активными образцовыми нагрузками;

устройства с комплексными образцовыми мерами и конечными, в общем случае, комплексными нагрузками.

Устройства третьей группы просты по структуре и могут использоваться для измерения как элементов со сосредоточенными так и с распределенными постоянными. Отсутствие каких-либо подстроечных операций позволяет реализовать комплексную автоматизацию на основе ПК. Это машинно-ориентированные устройства. Это практически универсальные устройства, которые позволяют на одной технологической установке реализовать измерение широкой номенклатуры элементов (пассивные двухполюсники, активные двухполюсники, диоды, стабилитроны, варикапы и т.п.; транзисторы любой структуры, операционные усилители; СВЧ двух и многополюсные устройства).

Большинство приборов всех групп состоит из источника сигнала, схемы подключения образца-измерительной головки (ИГ) и разделения сигналов. При измерении полных характеристик объекта (полное сопротивление или комплексные матрицы) применяется измеритель векторных отношений.

3.2 Методы измерения параметров моделей элементов на основе эквивалентных схем