Лабораторная работа: Исследование характеристик одиночных и связанных колебательных кон

Рисунок 5 АЧХ,ФЧХ последовательного колебательного контура при Rдоп=10 Ом

Рисунок 6 АЧХ,ФЧХ последовательного колебательного контура при Rдоп= ¥

Рисунок 7 АЧХ,ФЧХ параллельного колебательного контура при Rдоп= 1кОм

Рисунок 8 АЧХ,ФЧХ параллельного колебательного контура при Rдоп= 100 Ом

Рисунок 9 АЧХ,ФЧХ параллельного колебательного контура при Rдоп= 10 Ом

Рисунок 10 АЧХ,ФЧХ параллельного колебательного контура при Rдоп= 0 Ом

2) Рассчитали по полученным данным параметры контуров: ∆f0,707, Q, ρ, Rэо, τк. Результаты смиотри в таблице 1

Таблица1 Результаты измерений и расчетов

R доб,Ом	∆f0,707б,кГц		Q		ρ,Ом				Rэо,Ом	τk,mkC
	Пар	посл	пар	посл		пар	посл	пар		пар
1000	31,9	1050	0,784	0,024		1252	0,238	1567		31,348	0,952
100	175	43	0,143	0,581		535	5,814	286		5,714	23,256
10	1610	8	0,016	3,125		176	31,25	31		0,621	125
0	------	5,5	--------	4,545		-------	45,46	--------		------	181,82
¥	16	-----	1,563	-------		1768	-------	3125		62,50	-------

Вывод: Таким образом, мы изучили и сняли частотные характеристики (АЧХ и ФЧХ) и параметры последовательного и параллельного колебательных контуров. Из полученных данных следует, что ширина полосы пропускания последовательного колебательного контура растет с увеличением добавочного сопротивления, а ширина полосы пропускания параллельного колебательного контура уменьшается с увеличением добавочного сопротивления. Можно заметить, что добротность последовательного колебательного контура стремиться к максимальному значению при уменьшении нагрузочного сопротивления, а для параллельного колебательного контура наблюдается обратная зависимость.

Исследование характеристик системы двух связанных колебательных контуров.

Лабораторная работа по дисциплине

''РТЦиС''

Цель работы : изучение частотных характеристик (АЧХ и ФЧХ) в системе двух связанных колебательных контуров.

Схемы установки:

Рис.1. Система двух связанных колебательных контуров

Параметры контура:

R1=100 Ом;

R2=10 Ом:

C1= С3=10 nF;

С2=400 nF: - элемент связи между контурами

fo=50 кГц.

Расчетные формулы:

=1.01 мГн

где

f = 50 кГц

С=10 нФ;