Реферат: Конструирование микросхемы, разработка топологии

Для более точного подсчёта I₁₅ – I₁₈ подробнее рассмотрим транзистор V1:

??? b - ??????????? ???????? ???? (b_{КТ31 7 А} @70)

II. Разработка маршрутного технологического процесса изготовления микросхемы.

Наиболее простым способом формирования рисунка микросхемы является напыление элементов через свободные маски. Если при этом зазор между маской и подложкой отсутствует, линейные размеры элементов строго соответствуют размерам щелей в маске (метод контактной маски). Наличие зазора между под­ложкой и маской, устранить который полностью невозможно, приводит к образо­ванию «зоны размытости» рисунка. Причём размер этой зоны, как показывает практика, увеличивается с ростом толщины маски и клинообразности профиля её вырезов. С уменьшением же толщины снижается жёсткость маски и увеличивает­ся её «провисание» над подложкой, что, в свою очередь, также приводит к росту зоны размытости.

Напыление резистивных и проводниковых плёнок выполняется в одной вакуумной камере в непрерывном процессе. Для сублимации применяют резистивный испаритель, покрытый гальваническим слоем сублимируемого вещества либо стержень из спрессованного и спёченного порошка сублими­ру­емо­го вещества, а вещества, плохо взаимодействующие с тугоплавкими мате­риалами испаряют из жидкого состояния. Напыления ведут на подогретые под­ложки, температуру кото­рых регулируют изменением тока нагревателя. При достижении требуемой температуры подложек испаритель подводят на позицию испарения и подают на него напряжение. При нагреве испарителя вакуум в камере ухудшается, так как с поверхности испарителя происходит выделение газов. После окончания газовыделения и восстановления вакуума открывают заслонку и напыляют пленку сублимируемого вещества. При достижении требуемой толщины плёнки заслонку закрывают, на позицию переводят следую­щую подложку и так процесс продолжают для напыления плёнки на все подлож­ки.

Нанесение Нанесение проводников

резистивного слоя и контактных площадок

Маска

Подложка

III. Расчёт геометрических размеров плёночных элементов.

Прежде всего, для расчёта геометрических размеров резисторов нужно найти мощность P, рассеиваемую каждым резистором.Рассеиваемая мощность на резисторе находится по формуле:

(1), где i – номер элемента.

Применяя формулу (1) найдём P_i для каждого резистора (см. таблицу 1).

Так как резисторы R₁ , R₅ , R₇ , R₉ , R₁₀ , R₁₄ , R₁₅ , R₁₈ меньше 1000 Ом, то размещать их будем на другом слое.

Теперь, для того, чтобы выбрать материал, из которого будут изготав­ли­вать­ся резистивные плёнки, проводники и контактные площадки нужно найти удельное поверхностное сопротивление резистивной плёнки для каждого слоя по формуле (значения R_опт см. таблицу 1):

Зная R_опт для каждого слоя, можем выбрать материал резистивной плёнки, контактных площадок и проводников, а также температурный коэффициент сопротивления a и допустимую удельную мощность рассеяния P₀ соответствую­щий выбранному материалу:

I слой : резистивная плёнка – нихром, проволока Х20Н80 (ГОСТ 12766-67)

Контактные площадки

и проводники - медь

a = 1×10^-4

P₀ = 2 Вт/см²

II слой : резистивная плёнка – кермет К-50С (ЕТО.021.013 ТУ)

Контактные площадки

и проводники - золото с подслоем хрома (нихрома)

a = -4×10^-4

P₀ = 2 Вт/см²

Зная величину каждого резистора и R_о слоя, в котором он находятся, можно найти коэффициент формы для каждого резистора данного слоя:

где К_ф – коэффициент формы плёночного элемента (значения К_ф см. в таб­ли­це 1).

Теперь рассчитаем погрешность коэффициента формы:

Таблица 1.

Номер R	I	P i	Резистор	R i	1/R i	Rопт	Kф
1	0,0034543	0,008113888	R1	680	0,0014706	245,636	2,76832341
2	0,002651	0,007027801	R2	1000	0,001	4918,03	0,20333344
3	0,0008033	0,00212946	R3	3300	0,000303	4918,03	0,67100036
4	0,00147573	0,00718669	R4	3300	0,000303	4918,03	0,67100036
5	0,00130092	0,000169239	R5	100	0,01	245,636	0,40710638
6	0,00047755	0,002280587	R6	10000	0,0001	4918,03	2,03333441
7	0,00047755	0,000107188	R7	470	0,0021277	245,636	1,9134
8	0,00032997	0,001633183	R8	15000	6,667E-05	4918,03	0,20333344
9	0,00050478	2,54803E-05	R9	100	0,01	245,636	1,9134
10	0,0001694	1,34867E-05	R10	470	0,0021277	245,636	1,9134
11	3,4178E-06	1,16814E-08	R11	1000	0,001	4918,03	0,20333344
12	5,416E-06	1,37865E-07	R12	4700	0,0002128	4918,03	0,95566717
13	0,00032308	0,00156571	R13	15000	6,667E-05	4918,03	3,05000161
14	0,00032723	5,03286E-05	R14	470	0,0021277	245,636	1,9134
15	0,00100583	5,15964E-05	R15	51	0,0196078	245,636	0,20762426
16	0,00100583	0,004754962	R16	4700	0,0002128	4918,03	0,95566717
17	1,4167E-05	3,01056E-06	R17	15000	6,667E-05	4918,03	3,05000161
18	1,4167E-05	1,24436E-07	R18	620	0,0016129	245,636	2,52405958
19	5,416E-06	2,93331E-07	R19	10000	0,0001	4918,03	2,03333441

1).Для резисторов с 1 £K _Ф £ 10

Рассчитываем ширину резистора :

Рассчитываем длину резисторов:

??? h ? ????? ?????????? ??? ????????? ?????????, ????????????? ? ?????? ????? (h ³ 0,2 ??).

2).Для резисторов с 0,1 £K_Ф £ 1