Реферат: Силові IGBT і MOSFET транзистори

Для аналізу стану перевантаження по напрузі насичення вимірювальний резистор не потрібний. При подачі позитивного управляючого сигналу на затвор на вході захисту драйвера SC з'являється напруга, визначувана сумою падіння напруги на відкритому діоді VD2 і на відкритому силовому транзисторі Q1 і дільником R1, R4, який задає струм спрацьовування. Падіння напруги на діоді практично незмінне і складає близько 0,5 В. Напруга відкритих транзисторів при вибраному струмі короткого замикання визначається з графіка Von = f(Ic). Діод VD4, як і VD1, повинен бути швидкодійним і високовольтним.

Окрім захисту від перевантаження по струму драйвер аналізує напругу живлення вхідної частини VСС і вихідного каскаду VB, відключаючи транзистор при падінні VB нижче 9 В, що необхідне для запобігання лінійному режиму роботи транзистора. Така ситуація може виникнути як при пошкодженні низьковольтного джерела живлення, так і при неправильному виборі ємністі С2. Величина останньої повинна обчислюватися виходячи із значень заряду затвора, струму затвора і частоти проходження імпульсів. Для розрахунку значення бутстрепної ємності Cb в документації фірми International Rectifier рекомендуються наступні формули:

Cb = 15*2*(2*Qg + Igbs/f + It)/(Vcc – Vf – Vls),

It = (Ion + Ioff)*tw.

де

Ion і Ioff — струми включення і виключення затвора,

tw = Qg/Ion — час комутації,

Qg — заряд затвора,

f — частота проходження імпульсів,

Vcc — напруга живлення,

Vf — пряме падіння напруги на діоді зарядного насоса (VD1 на рисунку 10.6),

Vls — пряме падіння напруги на іншому діоді (VD3 на рисунку 10.6),

Igbs — струм затвора в статичному режимі.

При неможливості живлення драйвера від бутстрепної ємності необхідно використовувати «плаваюче» джерело живлення.

3. Драйвер трьохфазного моста

На рисунку 7 приведена схема підключення драйвера трьохфазного моста IR213* з використанням функції захисту від перевантаження. Для цієї мети використовується вхід ITR. Напруга спрацьовування захисту — 500 мВ. Для вимірювання повного струму моста в емітерах встановлений резистор RSENSE, номінал якого разом з дільником R2, R3 визначає струм захисту.

Рисунок 7. – Схема включення IR2130

Драйвер IR2130 забезпечує управління MOSFET і IGBT транзисторами при напрузі до 600 В, має захист від перевантаження по струму і від зниження живлячих напруг. Схема захисту містить польовий транзистор з відкритим стоком для індикації несправності (FAULT). Він також має вбудований підсилювач струму навантаження, що дозволяє виробляти контрольні сигнали і сигнали зворотного зв'язку. Драйвер формує час затримки (tdt — deadtime) між включенням транзисторів верхнього і нижнього плеча для виключення крізних струмів. Цей час складає від 0,2 до 2 мкс для різних модифікацій.

Для правильного використовування вказаної мікросхеми і створення на її основі надійних схем треба враховувати декілька нюансів.

Особливістю драйверів IR213* є відсутність функції обмеження напруги на затворі при КЗ. З цієї причини постійна часу ланцюжка R1C1, призначеного для затримки включення захисту, не повинна перевищувати 1 мкс. Розробник повинен знати, що відключення моста відбудеться через 1 мкс після виникнення КЗ, внаслідок чого струм (особливо при активному навантаженні) може перевищити розрахункове значення. Для скидання захисту необхідно відключити живлення драйвера або подати на входи нижнього рівня замикаючу напругу (високого рівня). Відзначимо також, що серед мікросхем даної серії є драйвер IR2137, в якому передбачений захист по напрузі насичення верхніх транзисторів і формується необхідний час затримки спрацьовування цього захисту. Такий захист дуже важливий для драйверів, що управляють трифазними мостовими схемами, оскільки при виникненні пробою на корпус струм КЗ тече, минувши вимірювальний резистор RSENSE. У цій мікросхемі передбачене роздільне підключення резисторів затвора для включення, відключення і аварійного виключення, що дозволяє реалізувати якнайповніші всі динамічні особливості транзисторів з ізольованим затвором.

Струм включення/виключення для IR213* складає 200/420 мА (120/250 мА для IR2136). Це необхідне враховувати при виборі силових транзисторів і резисторів затвора для них. У параметрах на транзистор указується величина заряду затвора (звично в нК), яка визначає при даному струмі час включення/виключення транзистора. Тривалість перехідних процесів, пов'язаних з перемиканням, повинна бути менше часу затримки tdt, формованого драйвером. Застосування могутніх транзисторів може також привести до помилкового відкриття і виникнення крізного струму через ефект Міллера. Зменшення резистора затвора або використовування резисторів затвора, роздільних для процесів включення і виключення, не завжди вирішує проблему унаслідок недостатнього струму виключення самого драйвера. В цьому випадку необхідне використовування буферних підсилювачів.

Перевагою мікросхем виробництва International Rectifier є те, що ці пристрої здатні витримувати високі перепади напруги між вхідною і вихідною частиною. Для драйверів серії IR21** ця напруга складає 500–600 В, що дозволяє управляти транзисторами в напівмостових і мостових схемах при живленні від випрямленої промислової напруги 220 В без гальванічної розв'язки. Для управління транзисторами в схемах, розрахованих на живлення від випрямленої напруги 380 В, International Rectifier випускає драйвери серії IR22**. Ці мікросхеми працюють при напрузі вихідної частини до 1200 В. Все драйвери International Rectifier витримують фронти наведеної напруги до 50 В/нс. Цей параметр називається dv/dt immune. Він свідчить про високу стійкість до режиму защипування, який представляє виняткову небезпеку для імпульсних високовольтних схем.

4. Драйвер нижнього плеча

Для управління транзисторами нижнього плеча хорошу альтернативу представляють мікросхеми, що випускаються фірмою Motorola. Структурна схема однієї з них — МС33153 приведена на рисунку 8.

Рисунок 8. – Структурна схема MC33153

Особливістю даного драйвера є Спроможність використовування двох способів захисту (по струму і напрузі насичення) і розділення режиму перевантаження і режиму короткого замикання. Передбачена також Спроможність подачі негативної напруги управління, що може бути дуже корисне для управління могутніми модулями з великими значеннями заряду затвора. Відключення при падінні напруги управління — UVLO здійснюється на рівні 11 В.

Вивід 1 (Current Sense Input) призначений для підключення струмкового вимірювального резистора. У мікросхемі цей висновок є входом двох компараторів — з напругою спрацьовування 65 і 130 мВ. Таким чином, в драйвері аналізується стан перевантаження і короткого замикання. При перевантаженні спрацьовує перший компаратор (Overcurrent Comparator) і відключає сигнал управління затвором. Скидання захисту проводиться при подачі замикаючого сигналу (високого рівня, оскільки вхід Input — інвертовано). При цьому сигнал несправності на вихід (Fault Output) не подається. Якщо струм перевищує заданий в два рази, це розцінюється як КЗ. При цьому перекидається другий компаратор (Short Circuit Comparator), і на контрольному виході з'являється сигнал високого рівня. По цьому сигналу контролер, що управляє роботою схеми, повинен проведе відключення всієї схеми. Час повторного включення повинен визначатися, як було сказано вище, теплової постійної часу силових транзисторів.

Вивід 8 (Desaturation Input) призначений для реалізації захисту по напрузі насичення. Напруга спрацьовування по цьому входу — 6,5 В. Етот же вхід призначено для підключення конденсатора Cblank, що формує час затримки спрацьовування захисту. Така затримка необхідна, оскільки після подачі напруги, яка відмикає затвор на транзисторі на якийсь час, поки йде відновлення протилежного діода, підтримується висока напруга.