ЭПИТАКС́ИЯ (от эпи ... и греч. taxis - расположение), ориентированный рост одного монокристалла на поверхности другого (подложки). В-ва могут быть одинаковы (гомоэпитаксия, или автоэпитаксия) или различны (гетероэпитаксия). Э. определяется условием сопряжения кристаллич. решёток кристалла и подложки.