полупроводниковый прибор для регистрации частиц и измерения их энергии. Представляет собой электронно-дырочный переход на основе кристаллов Ge или Si. Величина сигнала в полупроводниковом детекторе может быть значительно больше, чем в ионизационной камере. Высокая подвижность электронов и дырок обеспечивает малую (несколько нс) длительность си