лазер, активная среда которого - полупроводниковый кристалл. Полупроводниковый лазер имеет малые размеры (50 мкм - 1 мм), высокий кпд (до 50%), возможность спектральной перестройки. Полупроводниковый лазер генерирует излучение в диапазоне длин волн 0,3-30 мкм. Наиболее распространенный способ накачки - инжекция носителей через гетеропереход (г