Дипломная работа: Электросхемы

Номинальное напряжение источника питания, (В) …………………14,4

Минимальное напряжение источника питания, (В) …………………….6

Максимальное напряжение источника питания, (В) …………………18

Выходная мощность, (Вт) ………………………………………………22

Номинальный потребляемый выходной ток, (мА) ……………………80

Микросхема TDA 1552Q Электрические параметры:

Номинальное напряжение источника питания, (В) …………………14.4

Минимальное напряжение источника питания, (В) …………………….6

Максимальное напряжение источника питания, (В) …………………18

Выходная мощность, (Вт) ………………………………………………22

Номинальный потребляемый выходной ток, (мА) ……………………5.5

Микросхема TDA 2822D Электрические параметры:

Номинальное напряжение источника питания, (В) …………………….6

Минимальное напряжение источника питания, (В) ………………….1,8

Максимальное напряжение источника питания, (В) …………………15

Выходная мощность, (Вт) ……………………………………………0.38

Максимальный выходной ток, (А) …………………………………….0.1

Номинальный потребляемый выходной ток, (мА) ……………………15

Двух контактный коммутатор низкочастотных сигналов TDA 1029

Электрические параметры:

Номинальное напряжение источника питания, (В) ………………….165

Максимальное напряжение источника питания, (В) ………………13,3

Максимальный потребляемый выходной ток, (мА) …………………..80

3. Расчетная часть

3.1. Расчет надежности

Расчет надежности проводится на этапе проектирования. Для расчета задаются ориентирные данные. В качестве температуры окружающей среды может быть принято среднее значение температуры в нутрии блока. Для большинства маломощных полупроводниковых устройств она не превышает 40⁰ С.

Для различных элементов при расчетах надежности служат различные параметры. Для резисторов и транзисторов это допустимая мощность рассеивания, для конденсаторов допустимое напряжение, для диодов - прямой ток.

Коэффициенты нагрузок для элементов каждого типа по напряжению могут быть определены по величине напряжения источника питания. Так для конденсаторов номинальное напряжение рекомендуется брать в 1.5 -2 раза выше напряжения источника питания. Рекомендуемые коэффициенты приведены в таблице 1.

Таблица 1.

Наименование элемента	Контрольные параметры	k нагрузки
		импульсный режим	статический режим
Транзисторы	Ркдоп k н = Рф / Ркдоп	0,5	0,2
Диоды	Iпрмах k н = Iф / Iпрт	0,5	0,2
Конденсаторы	Uобкл k н = Uф / Uобкл	0,7	0,5
Резисторы	Pтрас k н = Рф / Рдоп	0,6	0,5
Трансформаторы	Iн k н = Iф / Iндоп	0,9	0,7
Соединители	Iконтактаk н = Iф / Iкдоп	0,8	0,5
Микросхемы	Iмах вх / Iмах вых	-	-

Допустимую мощность рассеяния резисторов можно определить от принятым обозначении на схеме.

Таблица 2.

Допустимую мощность рассеяния следует брать в качестве номинального параметра, надо брать в половину меньше согласно таблице 1.