Дипломная работа: Микроэлектроника

Для реализации данной схемы наиболее подходят по параметрам безкорпусные маломощные биполярные транзисторы КТ359А.

Основные параметры:

Тип проводимости:	n-p-n
Максимальный ток коллектора Iк max , мА:	20
Максимальная мощность в цепи коллектора Pк max , мВт:	15
Постоянное напряжение коллектор-эмиттер при Rэб £10 кОм Uкэ , В:	15
Коэффициент усиления по току в схеме с общим эмиттером h21 э :	50-280
Диапазон рабочих температур, °C	-50¸85

Габаритные размеры, мм:

a:	0.75
b:	0.75
L	не более 3
H:	0.34

Интервал рабочих температур: -50¸85 °C

Массане более 0.010г

Размеры контактных площадок зависят от способа получения конфигурации (для маски: внешние - 0.4*0.4 мм, внутренние 0.2*0.25 мм)

Способ установки на плату, габаритные и присоединительные размеры транзистора изображены на рис. 5

Способ установки на плату, габаритные и присоединительные размеры транзистора КТ359А

L

0.2

0.75

n 0.75 n + 0.2

m m + 0.2

H

Рис. 5

2.5 Разработка схемы соединений

Разработка коммутационной схемы соединений является составной частью топологического проектирования и включает в себя преобразование исходной электрической схемы с целью составления плана размещения элементов и соединений между ними на подложке микросхемы.

Основные принципы разработки: упрощение конфигурации электрической схемы для уменьшения числа пересечений и изгибов, получения прямых линий и улучшения субъективного восприятия, выделение на преобразованной схеме пленочных и навесных элементов, размещения на электрической схеме внутренних и периферийных контактных площадок.

Коммутационная схема представлена на рисунке 6.

Коммутационная схема

Б1 К2 Б4 К3

C3 C1

К1 R3 C2 C4 R6

K4 R1 R7 R2

R5 R4 R8 R9

Э2 Б2

Э4 Э1 Э3 Б3

1 2 3 4 5 6 7 8 9

Рис. 6

2.6 Выбор корпуса

Корпус предназначен для защиты микросхемы от механических и других воздействий дестабилизирующих факторов (температуры , влажности , солнечной радиации,пыли, агрессивных химических и биологических сред и т.д.)