Дипломная работа: Мікромеханічний акселерометр на рухомому об’єкті
В методі зонної плавки виконується повільне опускання зони розплаву (рис.8).
Рис.8. Метод вирощування кристалів (Метод зонної плавки )
Кремній, котрий залишився на зоні розплавки застигає у вигляді монокристалу. Розплавлений кремній не розтікається в різні боки, йому заважають сили поверхневого натягу, але до тих пір, поки стержень залишається досить тонким .
Методом Чохральского можна отримати стержні діаметром до 150 мм, а методом зонної плавки - до 100 мм.
Відомо, що використовуються пластини, товщина котрих може бути від 200 до 600 мкм, причому різниця може бути досить велика. При виготовленні інтегральних перетворювачів потрібно використовувати пластини строго заданої товщини. В цьому випадку видалення непотрібного матеріалу можна виконати не тільки механічною обробкою, а іхімічним травленням. Але поверхня при цьому повинна бути полірована, щоб, по-перше, проводити на ній фотолітографію, а по-друге - не погіршувати стану поверхні після травлення, завдяки якому виготовляється сам пружний елемент.
Якщо поверхня кремнієвої пластини отримана після різки злитку з мікронерівностями порядку декількох десятків мікрометрів, то потрібно виконати поліруюче травлення, після чого зніметься 50-70 мікрометрів та поверхня, яка отримається, буде мати мікронерівності декількох мікрометрів. Хоча якість поверхні значно гірша, ніж після механічної обробки, але її також можна використовувати для фотолітографії та мікропрофілювання пластини.
Окислення кремнієвої пластини є хорошим способом, але порівняно із стандартною технологією має деякі обмеження:
1. Якісний окис потрібно мати з обох сторін пластини.
2. Товщина окису повинна витримувати не тільки звичайні випробування (захисні функції при дифузії домішок, паразитними ємкостями провідників).
Існують також захисні поверхні кремнію при глибокому мікропрофілюванні пластини методом анізотропного хімічного травлення. Шар двоокису кремнію формується на підложці за рахунок хімічного з’єднання в напівпровіднику атомів кремнію та кисню, який подається до поверхні кремнієвої підложки, нагрітої в технічній печі до високої температури (900-1200 С) (рис.9).
Рис.9.Термічне окиснення.
Пластини розміщуються в кварцовій трубці діаметром 120-130 мм. Окислення відбувається протягом 6-ти годин в залежності від товщини окису.
Окислення проходить набагато швидше в атмосферному середовищі волого кисню, тому вологе окислення використовується для більш товстих захисних шарів.
Найчастіше використовується товщина окису, яка складає десяті долі мікрону, а верхня практична межа по товщині для звичайного термічного окислення складає 1-2 мікрометра. Значним кроком вперед в окисленні захисного шару на сьогодні є добавляння в процес окислення хлористих компонентів. Це призвело до покращення стабільності порогової напруги польових МДП-транзисторів, збільшенню напруження пробою діелектриків [1].
2.2. Розмірна обробка
Чутливі елементи мікромеханічних приладів представляють собою об’єми складної конфігурації з різноманітними наскрізними та глухими щілинами. Розмірна обробка пластин виконується за допомогою травлення, вибір якого залежить від відкриття “вікон” в захисній оксидній плівці. Цей процес називається літографія. Літографічні процеси формують на поверхні підложки шар стійкого до наступних технологічних дій матеріалу, котрий зможе під дією випромінення визначеної хвилі змінювати свої характеристики, і перш за все стійкість [ 5 ].
2.3. Літографія
В залежності від довжини хвилі застосованого випромінення застосовують наступні види літографії: фотолітографію (оптичну), електронно-променеву, рентгенівську та іонно-променеву.
Фотолітографія є основним технологічним процесом в мікроелектронному виробництві.
Для виготовлення масок використовують електронно-променеву літографію. Із-за ефекту розсіювання відбитих електронів в мікроструктурах з високою густиною мінімальна ширина лінії обмежується величиною 0,5 мкм.
Рентгенівська літографія дозволяє зменшити лінійні розміри до декількох десятків нанометрів, при цьому потрібно використовувати складну поглинаючу змазку або спеціальну тонкостінну захисну структуру. Іонно-променева літографія дозволяє проводити локальне легування домішок з дуже високою роздільною здатністю (0,01 мкм).
3.Вимірювання мікропереміщень чутливих елементів приладів
Найбільш розповсюдженими перетворювачами переміщень чутливих елементів мікромеханічних приладів є: тензорезистори та ємнісні датчики.
Розглянемо вимірювання мікропереміщень за допомогою ємнісних датчиків[5].
Ємнісний перетворювач працює на основі вимірювання ємності між рухомим електродом 1, який зазвичай розташований на рухомій частині акселерометра (чутливому елементі), та нерухомими електродами 2 які знаходяться на корпусі (рис. 10).
 |
|
|
|
Рис.10 Ємнісний перетворювач переміщень
Ємності між відповідними парами електродів визначаються за формулами: