Дипломная работа: Разработка интегральной микросхемы АМ-ЧМ приёмника по типу TA2003
Рисунок 3.21 – Усилитель промежуточной частоты АМ–сигналов (AMIF).
Рисунок 3.22 – Диаграммы работы усилителя промежуточной частоты АМ–сигналов.
На рисунке 3.23 приведена схема электрическая принципиальная смесителя ЧМ–сигналов. На рисунке 3.24 – диаграммы его работы.
Рисунок 3.23 – Смеситель ЧМ–сигналов (FMMIX).
Рисунок 3.24 – Диаграммы работы смесителя ЧМ–сигналов.
4. Разработка физической структуры кристалла и технологического маршлута изготовления ИМС
Схема электрическая принципиальная разработана на основе биполярных транзисторов, поэтому примем структуру кристалла изготовляемую по стандартной эпитаксиально - плонарной биполярной техпологии.
Для уменьшения площади кристалла ИМС в структуре предусмотреим двустороннюю разделительную диффузию. Для создания конденсаторов на основе МДП структуры необходимо предусмотреть наличие слоя Si3 N4 под металической обкладкой.
Учитывая тот факт что разрабатаваемая ИМС – АМ-ЧМ приемник, следовательно транзисторы используемые в схеме должны работать на высоких частотах. Для работы транзистора на высоких частотах он должен иметь тонкую активную базу, для чего необходимо уменьшить глубину ее залегания. Уменьшение же глубины залегания базовой области достигается только снижением уровня лигирования.
В связи с тем, что базовая область будет иметь низкий уровень лигирования, необходимо предусмотреть область p-типа проводимости, которая обеспечит хороший контакт к базовой области. Для создания этой дополнительной области не будем вводить новых технологических операций, а используем разделительную диффузию.
При разработке физической структуры также необходимо учитывать что изготавливаться данная ИМС будет на предприятии ОАО “Микрон”. Поэтому будем придерживаться тех параметров структуры которые наиболее отработана на предприятии и хорошо конролируются.
Изобразим структуру кристалла разработанную с учетом вышеперечислен