Дипломная работа: Разработка компонентов инфраструктуры сервисного обслуживания встроенной памяти гибкой автоматизированной системы на кристалле

Объектом работы – является встроенная в ГАС память на кристалле.

1.анализ технического задания

1.1 Системы на кристалле. Общие представления

Выражение "система на кристалле" не является, строго говоря, термином. Это понятие отражает общую тенденцию к повышению уровня интеграции за счет интеграции функций.

Под приборами класса "системанакристалле", в общем случае, понимаются приборы, на едином кристалле которых интегрированы процессор (процессоры, в т.ч. специализированные), некоторый объем памяти, ряд периферийных устройств и интерфейсов, т.е. максимум того, что необходимо для решения задач, поставленных перед системой.

Производительность приборов класса "системанакристалле" в значительной мере зависит от эффективности взаимодействия всех встроенных компонентов и от эффективности их взаимодействия с внешним, относительно прибора, миром. В первую очередь это связано с различием в быстродействии встроенных компонентов, в особенности организации интерфейсов.

1.2 Современные тенденции развития

В настоящее время значительная часть подобных конфигурируемых проектов разрабатывается в виде печатной платы как комбинация микросхем программируемой и жесткой логики, аналоговых блоков, микроконтроллеров, массивов памяти и фиксированных периферийных узлов (интерфейс Т1, АТМ, 10/100 PHY, видео/аудио кодеки и т.п.). Несмотря на то, что такие комбинированные решения позволяют достаточно быстро создавать разнообразные, быстро меняющиеся проекты, они не могут реально конкурировать с точки зрения производительности, энергопотребления, надежности и массогабаритных характеристик с монолитным решением – интегральной микросхемой системного уровня интеграции.

Таким образом, появились все предпосылки к реальному созданию коммерческих версий ИС нового поколения, сочетающих в себе преимущества традиционных заказных изделий класса ASIC, микросхем программируемой логики и интегрирующих широкий диапазон системных ресурсов для большей функциональности. Новые микросхемы был отнесены к группе изделий системного уровня интеграции SLI (System Level Integration), и до настоящего времени уровень SLI был реализован лишь в заказных микросхемах с фиксированной архитектурой, потому что это было единственным приемлемым технологическим решением.

Под интеграцией различных системных ресурсов здесь не следует понимать механистическое объединение отдельных систем, которыми могут быть (пусть и сколь угодно сложные, но в то же время типовые, стандартные) микропроцессоры, блоки памяти и периферийные узлы. Возможность сочетания различных типов электронных ячеек на площади одного кремниевого кристалла высвобождает новые потребительские качества выпускаемых микросхем, позволяет целенаправленно ориентировать новую продукцию на требуемые сегменты рынка, обеспечивая производителям современной электронной аппаратуры техническую и экономическую выгоду.

Реализованная на практике идея SLI оказалась настолько богатой, что сразу же нашла широкий отклик у многих мировых лидеров в производстве микроэлектронных изделий. Интеграция всех основных системных узлов на одной системно-ориентированной микросхеме обеспечивает повышение производительности, снижение энергопотребления, уменьшение цены конечного изделия в целом и позволяет выпускать малогабаритную продукцию. Все эти преимущества особенно важны в области ГАС, с точки зрения телекоммуникационных приложений портативной аппаратуре их сервисного обслуживания, а также в сетевых приложениях. Изделия нового поколения, выполняемые по идеологии SLI, стали называть "система на кристалле" – System on a Chip или SoC. И основным препятствием на пути активного внедрения микросхем SoC в массовое производство вплоть до начала 2000-х годов, были лишь технологические ограничения полупроводниковой промышленности.

Революционные изменения в технологии производства микроэлектронных изделий дали возможность комбинировать на одном кремниевом кристалле несколько разнородных типов электронных ячеек (CMOS+Flash, CMOS+EEPROM, SiGe/BiCMOS). Были выпущены первые интегральные заказные микросхемы ASIC, реализующие как цифровую, так и аналоговую обработку данных, в том числе и для радиочастотного диапазона).

Совершенствование технологического процесса позволило постоянно увеличивать количество интегрированных транзисторов в пределах одной и той же площади кремниевого кристалла. Тем не менее, оказалось невозможным полноценно использовать все преимущества этого увеличения без значительного удлинения временного цикла разработки проектов, особенно в связи с постоянно увеличивающейся сложностью последних.

Здесь же впервые встала и проблема дефицита высококвалифицированного инженерного труда, так как разработать современное заказное изделие микроэлектроники в кратчайшие сроки – очень непросто. Существенно обострилось и ранее дремавшее противоречие: с одной стороны, цены на конечные изделия должны быть как можно меньше; с другой – сложность микросхем должна быть как можно выше, а количество одновременно выполняемых ими функций – как можно больше. В значительной степени этому способствовало смещение рынка потребления в сторону сложной продукции массового спроса: Application Specific Standard Products (ASSP), а также активное влияние рынка телекоммуникаций, который развивается чрезвычайно быстро и требует реализации все более сложных и изощренных механизмов кодирования, передачи и обработки разнородных данных.

Таким образом, на сегодняшний день, сформировались все предпосылки к реальному созданию коммерческих, доступных версий микросхем SoC.

Многие фирмы-производители проводят, в настоящее время, активные исследования перспективности создания микросхем класса SoC различных архитектур. Несколько компаний уже реализовало свои идеи в конкретные семейства серийно выпускаемых ИС и продолжают работу в этом направлении. В результате можно сказать, что на рынок микроэлектроники действительно вышло новое поколение микросхем с возможно большим и перспективным будущим. Говорится об этом поколении уже много и всеми по-разному. При этом, к сожалению, нечетко поставлены акценты в терминологии, по-разному воспринимается сама концепция системы на кристалле, различаются подходы как к проектированию и производству самих ИС, так и к построению конечных проектов на этой новой элементной базе.

1.3 Номенклатура выпускаемой памяти на кристалле

Сформируем перечень различных микросхем памяти, обладающей уникальной программируемой технологией производства систем памяти на одном кристалле.

В настоящее время, разрабатываются и производятся, в промышленных масштабах, следующие виды микросхем памяти:

– EPROM – память с ультрафиолетовым стиранием и с однократным программированием, в том числе стандартные микросхемы памяти типа OTP и UV EPROM , усовершенствованные микросхемы памяти OTP и UV EPROM семейства Tiger Range , микросхемы нового семейства памяти FlexibleROM, разработаного для замены MaskROM, а также микросхемы памяти PROM и RPROM компании WSI (США), вошедшей в состав ST ;

– EEPROM и SERIAL NVM (последовательная энергонезависимая долговременная память) – из последовательной перепрограммируемой энергонезависимой памяти выпускаются микросхемы памяти EEPROM с различным шинным интерфейсом, микросхемы последовательной Flash -памяти, стандартные микросхемы памяти специального назначения (ASM ) и бесконтактные (CONTACTLESS MEMORIES ) микросхемы памяти;

– Flash-память типа NOR – в производстве находятся микросхемы Flash-памяти: индустриального стандарта с различным питанием, с расширенной архитектурой для различных областей применения, микросхемы с разнородной памятью и микросхемы Flash-памяти семейства " LightFlash ";

– Flash-память типа NAND – новое направление в производстве микросхем памяти;

– SRAM – асинхронные маломощные микросхемы памяти типа SRAM с различным питанием и быстродействием;

– NVRAM – имеются различные решения для SRAM с аварийным батарейным питанием, которые классифицируются как супервизоры, Zeropower, Timekeeper и часы реального времени с последовательным интерфейсом (Serial RTC );

– PSM – в соответствие со стратегическим направлением создания «систем на кристалле», разрабатываются и производятся микросхемы программируемых систем памяти, которые обеспечивают комплексное системное решение памяти для микроконтроллеров и разработок на сигнальных процессорах (DSP);

– Smartcard – в наличии большой ассортимент микросхем для Smartcard и систем обеспечения безопасности.

Большое число видов и типов микросхем памяти, производимых сегодня, не позволяет осуществить их подробное освещение в рамках одной дипломной работы. Поэтому здесь я попытаюсь остановиться только на основных особенностях некоторых семейств микросхем памяти, представленных на рис. 1.1.

Рисунок 1.1 – Виды и основные серии выпускаемых микросхем SoC-памяти

2. разработка компонентов инфраструктуры сервисного обслуживания SoC -памяти ГАС

2.1 Принципы создания сервисного обслуживания систем на кристалле

Одной из важных и первостепенных задач микроэлектроники, является создание универсальных микропроцессорных SoC-систем на кристалле. Такие сложные ИС класса SoC, обычно, состоят из трех основных цифровых системных блоков:

– процессор,