Дипломная работа: Разработка системы резервного электропитания

d1=0.76 мм, d2₁ =0.20 мм, d2₂ =0.10 мм.

Выбираем обмоточные провода ПЭВТВ-2 с диаметрами 0.8 мм и 0.21 мм.

Расчет параметров транзисторов инвертора.

Расчет транзисторов VT 3 и VT 6. Оконечные транзисторы VT3 и VT6 выбираем из условия:

Iк max > 3.33А,

Uкэ max > 24 В.

Выбираем транзистор КТ827А(n-p-n).

Параметры транзистора: Iк max=20 А, Uкэ max=90 В, Рк maxт=125 Вт, h_21Э =750, I_КБО ≤1mА, Тпер max=150 ˚С, Тпер max=125 ˚С,

Амплитуда тока базы транзисторов VT3 и VT6 равна:

IБ m3,6 =	IКm3,6	=	3.33	= 4.4·10-3 А.
	β 3,6		750

Расчет транзисторов VT 2 и V 56. Для обеспечения тока базы транзисторов VT3 и VT6 используем транзисторы VT2 и VT5. Ток коллектора транзисторов выбираем из условия:

I_{К m 2,5} =(10 ÷ 20) I_{Б m 3,6} ,

I_{К m 2,5} =10I_{Б m 3,6} =10∙4.4·10^-3 = 44 мА.

Транзисторы VT2 и VT5 выбираем из условия:

Iк max > 44мА,

Uкэ max > 24 В.

Выбираем транзистор КТ 315 Д (n-p-n).

Параметры транзистора: Iк max=100 mА, Uкэ max=40 В, Рк max=0.15 Вт, h_21Э ≥ 20, I_КБО ≤ 1 mА, Тпер max=120 ˚С, I_ЭБО < 30 мкА.

Тогда ток базы транзисторов VT2 и VT5 равен:

IБ m2,5 =	IКm2,5	=	0.044	= 2.2·10-3 А.
	β 5,6		20

Расчет сопротивлений R 12 и R 17. Сопротивления делителей R12 и R17 определяем из выражения:

R12= R17 = U_{БЭ 3,6} / I_{К m 2,5} = 0.7/44·10^-3 = 15.9 Ом,

Из ряда Е24 выбираем: R12, R17– МЛТ - 0.125-20 Ом ±5%.

Расчет сопротивлений R 11 и R 16 .Сопротивления делителей R11 и R16 определяем из выражения:

Напряжение на коллекторах транзисторов выбираем из условия

24- U_{БЭ 2,5} - ΔU = 24-0.7-5 =18.3 В > U_{К m 2,5} ,

где ΔU=3÷5В – запас по питанию при разряженном режиме работы аккумулятора.

Принимаем U_{К m 2,5} =18 В. Тогда находим:

Ом.