Дипломная работа: Розробка двохсмугової активної акустичної системи з сабвуфером
Інтегральні підсилювачі дуже компактні, не потребують зовнішніх детелей, часто мають систему захисту від коротких замикань і перевантажень по струму навантаження, термозахист і т.п., що забезпечує безвідмовну роботу при експлуатації.
3.1. Вибір і розрахунок підсилювача для сабвуфера
Вибір інтегрального підсилювача проведемо на основі даних, заданих в технічному завданні:
- амплітуда вхідного сигналу 1 В;
- вихідна потужність сабвуфера 25 Вт.
Візьмемо мікросхему TDA2050V фірми виробника SGS-Thomson. Експлуатаційні та електричні параметри такого інтегрального підсилювача наступні:
- вихідна потужність, Рвих = 25 Вт;
- опір навантаження, Rн = 4 Ом;
- коефіціент підсилення Ку = 80 дБ;
- коефіціент гармонік Кг = 0,5 %;
- напруга живлення Uж = ±25 В;
- допустиме відхилення напруги живлення Uд = ±2,5 В;
- мінімальний споживаний струм І = 55 мА;
- нижня гранична робоча частота fн = 20 Гц;
- верхня гранична робоча частота fв = 20 кГц;
- корпус ТО220 (5 виводів).
Схема включення запропонована фірмою виробником наведена на рис. 3.1.1.
Конденсатор С1 – роздільчий конденсатор. А ланка R1C1 відіграє роль диференціюючої ланки, яка застосовується для того, щоб вихідна напруга із цієї ланки була пропорційна швидкості зміни вхідного сигналу. При скачку напруги на вході зміна напруги на конденсаторі рівна 0 і опір R1 являє собою навантаження зі сторони входу мікросхеми. Елемент R1 вибирається не дуже малим, щоб сильно не навантажувати вхід. Фірма виробник дані елементи пропонує прийняти рівними С1 = 1 мкФ, R1 = 22 кОм. Візьмемо наступні типи елементів: К53-4-16-1мкФ±20% ОЖО.467.037.ТУ та С2-23-0,125-22кОм±5% А-В-В-А ОЖО.467.104.ТУ.
Конденсатори С2 та С4 відіграють роль згладжуючих конденсаторів від різних високочастотних викидів по напрузі живлення. Вони вибираються в межах від 1 нФ до 100 нФ. Приймемо рівними 10 нФ і при практичній реалізації застосуємо тип К73-17-63В-0,01мкФ±10% ОЖО.461.104.ТУ.
Ланка R2=680 Ом, С3=22мкФ, R3=22кОм, включена у зворотній зв’язок мікросхеми, задає необхідний коефіціент підсилення. Конденсатор візьмемо типу К53-4-63В-22мкФ ОЖО.647.037.ТУ, а резистори С2-23-0,125-22кОм±5% А-В-В-А ОЖО.467.104.ТУ та С2-23-0,125-680 Ом±5% А-В-В-А ОЖО.467.104.ТУ.
Діоди VD1 та VD2 – захисні діоди. Більшість конденсаторів мають достатньо невеликий опір, на якому при замиканні виникає піковий імпульс струму величиною до 20 А і при включенні діодів цей імпульс струму проходить не через мікросхему, а через них. Хоча мікросхема має захист від пікових імпульсів струму, така схема включення збільшує надійність роботи підсилювача. У ролі захисних діодів візьмемо елементи типу 1N4001.
Ємність С6 – роздільнча ємність по постійному струму, береться великою, оскільки вихідна потужність, яка заводиться на гучномовець, складає 25 Вт, а нижня робоча частота 20 Гц. В даному випадку ємність С6 можна взяти номіналом 2200 мкФ типу К53-4-35В-2200мкФ ОЖО.467.037.ТУ.
Ланка R4, С5 – ланка Бушеро, відіграє роль узгоджувальної ланки підсилювача з гучномовцем.
Повний електричний опір гучномовця [1], як відомо, сладається з суми електричного опору звукової котушки ZK (jω) та вносимого опору ZRH (jω), який визначається параметрами механічної та магнітної системи гучномовця, опором випромінювання, типом та параметрами акустичного оформлення гучномовця, тобто:
ZГМ (jω) = ZK (jω) + ZRH (jω). (3.1.1)
Вносимий опір ZRH (jω) матиме незначний вплив, якщо повна добротність гучномовця є малою. Для гучномовця ARN-150-02/4 Q=0,24. Тобто в нашому випадку опір гучномовця визначається комплексним опором звукової котушки:
ZГМ (jω) = ZK (jω) = RK + jωLК , (3.1.2)
де RK – резистивний опір звукової котушки;
LК – індуктивність звукової котушки.