Дипломная работа: Синтез электронных схем на компонентном уровне и компенсация влияния паразитных емкостей полупро

, (6)

,

Смысл векторов , , , , , и матриц , , , , их структура поясняется табл. 1.

Таблица 1

Физический смысл КЧС

Матрица,

вектор

Размерность

Физический смысл компонент

(передача КЧС)

Передача с выхода i-го каскада (i-й транзистор) к базе (затвору) j-го транзистора
Передача с выхода i-го каскада (i-й транзистор) к эмиттеру (истоку) j-го транзистора
Передача от источника сигнала к эмиттеру (истоку) i-го транзистора
Передача от источника сигнала к базе (затвору) i-го транзистора
Передача с выхода i-го каскада к нагрузке

При определении частных передач, указанных в табл. 1, необходимо учитывать входные и выходные сопротивления соответствующих каскадов. Влияние транзисторов описывается диагональными матрицами

, (7)

размерностью , компоненты которых являются передаточными функциями каскадов с общим эмиттером или общим истоком и каскадов с общей базой (общим коллектором) или общим затвором (общим стоком) .

Учитывая, что


,, (8)

из системы (6) получим передаточную функцию электронного устройства

, (9)

где , .

Следовательно, коэффициент усиления любого идеализированного электронного устройства K0 определяется из соотношения

. (10)

Указанные в таблице передачи пассивной части системы для неизбирательных усилителей относятся к цепям межкаскадной связи. Эти цепи являются делителями, образованными выходным сопротивлением i-го каскада и входным сопротивлением (i+1)-го каскада. Используя метод пополнения при определении обратной матрицы, получим

, (11)

где Ki– коэффициент передачи устройства на выходе i-го каскада; Hi – коэффициент передачи устройства при подаче сигнала на эмиттер (исток) i-го транзистора.

Эти локальные передачи определяются соотношениями

, (12)

, (13)

. (14)

Здесь векторы i, имеют одну единицу на i-й позиции.

Из соотношений (10), (11), (12) следует векторный сигнальный граф (рис. 3), отображающий топологию влияния постоянной времени i-го транзистора (вектор wi отсутствует).

К-во Просмотров: 470
Бесплатно скачать Дипломная работа: Синтез электронных схем на компонентном уровне и компенсация влияния паразитных емкостей полупро