Дипломная работа: Создание низкоразмерной среды в арсениде галлия для устройств микро- и наноэлектроники
В большинстве случаев электропроводность диэлектриков ионная, реже – электронная.
Сопротивление диэлектрика, заключенного между двумя электродами, при постоянном напряжении, т. е. сопротивление изоляции
К-во Просмотров: 334
Бесплатно скачать Дипломная работа: Создание низкоразмерной среды в арсениде галлия для устройств микро- и наноэлектроники