Доклад: Влияние метилирование поверхности на устойчивость наночастиц кремния

Si(0,12)

-0,21

0,04

0,05

Нами также рассчитаны вертикальный и адиабатический потенциалы ионизаций и сродства к электрону данной системы. В частности, найдено, что разница вертикальной и адиабатической потенциалов ионизации в случае рассмотрения релаксации 1-й степени, т.е. только метильной группы, составляет 0.07 эВ. Зарядовое состояние кластера не влияет на силу отталкивания между центральными атомами кремния. Наведенный заряд в кластере распределяется в основном по периферийным атомам кремния, оставляя неизменным зарядовое состояние центральных атомов. Атомы водорода, окружающие кластер, также остаются индифферентными к изменениям заряда кластера. Отрыв электрона от кластера приводит также к уменьшению отрицательного заряда на атоме углерода.


Табл. 3. Зависимость степени метилирования поверхности на энергию когезии и зарядовое распределение кластера.

(СH3)n Si29 H24-n

n=1

(0)

n=2

(+)

n=4

(+)

n=24

(++)

Eg 0,814 0,68 0,35 0,22
ZSiSi 1,047 0,904 0,85 1,207
ESiSi -5,061 -4,577 -4,56 -5,18
Eпол 190,724 183,276 187,830 252,988

Зависимость стабильности кластера от количества иммобилизованных метильных групп показано в табл.3., откуда видно, что с увеличением количества метильных групп на кластере, ширина запрещенной зоны кластера сужается. Следует особо отметить, что с увеличением углеводородов, кластер становится стабильным преимущественно в положительно заряженном состоянии. В случае полного охвата кластера Si29D метильными группами (Si29 -(CH3)24 ) наиболее выгодной оказывается дважды положительное зарядовое состояние, причем это не оказывает существенного влияния на величину атом-атомного отталкивания между кремниевыми атомами. Диаметр кластера Si29D, полностью покрытого метильными группами, составляет 1.35 нм.


Л итература

1. Z.M. Khakimov, et al., Phys. Rev. B 72 , 115335 (2005)

К-во Просмотров: 119
Бесплатно скачать Доклад: Влияние метилирование поверхности на устойчивость наночастиц кремния