Контрольная работа: Особенности построения цифровых узлов средств отображения информации

где mR - коэффициент увеличения разрядности ВБЗУ при чтении:

mR ³ tв ВБЗУ / (ТЭ - tDRG ),

где tDRG - время задержки в выходном регистре ВБЗУ.

В то же время запись информации в ВБЗУ производится побитно для черно-белого изображения или с разрядностью nВБЗУ W при кодировании признаков цветности или градации яркости.

Следовательно, ВБЗУ строится по принципу памяти с переменной организацией. При записи -

CВБЗУ W = NВБЗУ W * nВБЗУ W ;

при чтении

CВБЗУ R = NВБЗУ R * nВБЗУ R .


При сохранении постоянной информационной емкости ВБЗУ в обоих режимах изменение разрядности ячеек памяти приводит к изменению их числа [приравнять (в) и (с) и учесть (а)]:

NВБЗУ R = NВБЗУ W / mR .

При синтезе модуля ВБЗУ из БИС ОЗУ НК емкостью

CНК = NНК * nНК ,

где NНК и nНК - число ячеек памяти накопителя и их разрядность, число ИМС, требуемых для наращивания разрядности

mP = ]nВБЗУ R / nНК [,

а число рядов матрицы накопителей, необходимое для наращивания объема ВБЗУ с целью получения требуемого количества NВБЗУ ячеек памяти

mСТ = ]NВБЗУ R / NНК [.

Информация с выхода модульного БИС ОЗУ представлена nВБЗУ R - разрядным параллельным кодом. Для преобразования ее в импульсы яркостной модуляции (последовательный код) применяют комбинированный регистр (параллельный ввод – последовательный вывод). При этом частота сдвига определяется fТГ , а цикличность преобразования (частота поступления сигналов Зп/Чт) –

fЗп/Чт = fТГ / mP .


В большинстве динамических ЗУ регенерация осуществляется при обращении (записи или считывании) по строке (столбцу). Это означает, что регенерируется содержимое всех ячеек памяти, находящихся в одной строке (столбце) с адресуемой.

При регенерации телевизионного изображения осуществляется последовательное считывание содержимого ВБЗУ по строкам. Обращение ко всем NЭС элементам одной строки ВБЗУ при квадратной матрице происходит за период регенерации памяти

Трег = ТС mP Ö(NНК ) / NЭС .

В качестве примера составим структурную схему модуля ВБЗУ для полнографического СОИ телевизионного типа при NЭС = NЭВ = 512, bТ = 0.75, bВ = 0.9, a0 = 0.18, изображение строится без полутонов, т.е. NАП = 2.

Тогда

nВБЗУ W = ]log2 NАП [ = ]log2 2 [ = 1;

CВБЗУ W = NЭС * NЭВ * nВБЗУ W = 512 * 512 * 1 = 256Kx1.

Принимая информационную емкость БИС ОЗУ НК 64Кх1 с временем выборки tв £ 120 нс, имеем

ТЭ = bГ (1 - aС ) / (NЭС fС ) = 0.82 * 0.75 / (512 * 15625) = 77 нс;

при tDRG £ 30 нс

mR ³ 120 / (77 – 30) = 3 » 4;

nВБЗУ R ³ nВБЗУ W * mR = 1 * 4 = 4;

К-во Просмотров: 145
Бесплатно скачать Контрольная работа: Особенности построения цифровых узлов средств отображения информации