Контрольная работа: Параметры транзисторов
Рассчитать параметры элементов усилителя на биполярном транзисторе (БТ). Схема усилителя приведена на рис.1.
Построить графики:
· напряжения на выходе ненагруженного источника сигнала;
· напряжений в точках 1, 2, 3, 4, 5 при подаче на вход усилителя напряжения источника сигнала и наличии напряжения питания;
· напряжения UКЭ .
Привести основные параметры применяемого БТ.
Исходные данные для расчета приведены в табл. 1.
Тип транзистора определяется по первой букве фамилии студента (табл. 2).
Рис.1 – Принципиальная схема усилительного каскада
Исходные данные для расчета
Наименование параметра | Единица измерения | Формула для расчета параметра |
Напряжение источника сигнала | мВ | Еи =(mn+40)/20 |
Внутреннее сопротивление источника сигнала | Ом | Rн=(120-mn)·5 |
Нижняя граничная частота усиливаемых сигналов | Гц | fН =(mn+100)·2 |
Верхняя граничная частота усиливаемых сигналов | Гц | fВ =(mn+100)·50 |
Величина нагрузки | кОм | Rн=m+10 |
Емкость монтажа | пФ | См=(150-mn)/20 |
Приложение 1. Параметры транзисторов
Параметр | Единица измере-ния | Тип транзистора | |||||
КТ355А | КТ343A | КТ347А | КТ201А | КТ312В | КТ361Б | ||
Iкб0 | мкА | 0.5 | 1 | 1 | 1 | 10 | 1 |
h21e | - | 80…300 | >30 | 30…400 | 20…60 | 10…100 | 50…300 |
fгр | МГц | 1500 | 300 | 500 | 10 | 80 | 250 |
Ске | пФ | 2 | 6 | 6 | 20 | 5 | 9 |
Uкб max | В | 15 | 17 | 15 | 20 | 15 | 25 |
Uке max | В | 15 | 17 | 15 | 20 | 15 | 25 |
Iк max | мА | 60 | 50 | 50 | 20 | 30 | 50 |
Pmax | мВт | 225 | 150 | 150 | 150 | 225 | 150 |
Tmax | о С | -55 | -10 | -40 | -60 | -40 | -60 |
Tmin | о С | +125 | +150 | +85 | +125 | +85 | +100 |
Тип перехода | - | n-p-n | p-n-p | p-n-p | n-p-n | n-p-n | p-n-p |
В |
Ом |
Гц |
Гц |
Ом |
Ф |
1.Определяем напряжение питания усилителя.
Для заданного типа транзистора должно выполняться условие:
UК E max > E.
UК E max=15 В
В |
2.На входной характеристике транзистора (при UKE 0) определяем параметры рабочей точки IБО , UБЕ0 (режим покоя).
В |
3.Определяем величину UКЕ0 :
UКЕ0 = (0.4 … 0.5)Е.
4.На выходных характеристиках транзистора определяем параметр рабочей точки IK0 .
5.По полученным значениям Е, IK0 , UКЕ0 строим динамическую характеристику транзистора.
6.Находим величину сопротивления RК :
RК =0.4Е/ IK0 .
Мощность, рассеиваемая на резисторе RK , равна
.
7.Определяем величину сопротивления RЕ в цепи термостабилизации.
--> ЧИТАТЬ ПОЛНОСТЬЮ <--