Контрольная работа: Присвоение блока памяти оперативного запоминающего устройства
Минимальная длительность активного уровня сигнала определяется быстродействием ячеек памяти. Часто требуется сохранение значений входных данных DI некоторое время (Data Hold Time — время удержания данных) после окончания активного уровня сигнала записи = 0. В современных SRAM обеспечиваются минимальные значения = 0 и = 0. Длительность цикла записи (Write Cycle Time) примерно равна сумме значений , и .
При чтении время (Read Access Time — время доступа при чтении) характеризует задержку выходных данных DO относительно изменения адресных сигналов при отсутствии сигнала управления или ≡ 0. Время характеризует удержание значений выходных данных DO по окончании активного уровня сигнала управления = 0 (или адресного сигнала при отсутствии сигнала ). Если сигнал управления имеется, то выходные данные DO могут появиться только при значении = 0. Время задержки выходных данных DO относительно изменения сигнала управления с 1 на 0 значительно меньше значения .Время цикла чтения примерно равно времени цикла записи При равенстве этих циклов основной динамической характеристикой SRAM является время цикла .
2. Расчётная часть
2.1 Определение числа микросхем
1)Расчёт ОЗУ в битах
Nбис = Nr * Nc
Где Nr – число ячеек памяти БИС ОЗУ,
Nc – Разрядность БИС ОЗУ.
NБИС =4·1024·4=16384
2) Рассчитаем всего блока ОЗУ заданного по курсовому проекту 65536 байт в битах.
Nозу = 8кБ * 1024 * 8 = 65536 Бит.
3) Определим количество микросхем памяти для построения всего блока ОЗУ по формуле:
Qram = Nозу/Nбис
Где Nозу – объём всего блока ОЗУ,
Nбис – объём ОЗУ.
Qram = 524288/16384=32
4)Рассчитаем количество микросхем памяти для одного банка для хранении:
N1 = Nшд / Nc
Где Nщд – разрядность ШД,
N1 – разрядность микросхемы памяти.
N1 = 8 / 4 = 2.
5)Рассчитаем количество банков требуемых для блока ОЗУ по формуле:
N2 = Qram / N1
Где N1 – количество микросхем в банке,
Qram – количество микросхем памяти.
N2 = 32/2=16
2.2 Расчет адресного пространства
64·1024=65536
65536-1=65535=>FFFF=>1111111111111111- 16 линий адреса для построения ОЗУ.