Курсовая работа: Элементы квантовой механики

i =  E, где

 - удельная проводимость, важный параметр ПП (иногда используют удельное электросопротивление  1/ ).

Т.к. в ПП есть 2 типа носителей, то

 qn n + qp p,где

q – единичный заряд

n и p – концентрация

 n и  p – подвижность носителей, важный параметр ПП.

В вакууме носитель под воздействием поля Е будет двигаться равноускоренно. Другое дело – твёрдое тело. Ускоряясь, носители постоянно «сталкиваются» с атомами (испытывают рассеяние ). На длине свободного пробега носители двигаются равноускоренно, затем, столкнувшись, теряют скорость и снова ускоряются. Поэтому средняя дрейфовая скорость _

 =  Е, где

 - коэффициент пропорциональности, называемый подвижностью носителя, и зависящий от его эффективной массы (для Si e ~ 3 p).

Быстродействие полупроводниковых приборов прямо пропорционально подвижности носителей ПП, на основе которого выполнен прибор.

Подвижность – величина не постоянная и зависит от Т, причём неоднозначно, например

 Так, для Si могут меняться в диапазоне рабочих температур

от -50С до +125С в 4-5 раз.

Т

ЭФФЕКТ ПОЛЯ

Эффект поля – это изменение концентрации носителей (а, следовательно, проводимости) в приповерхностном слое ПП под воздействием внешнего электрического поля.

Создадим конструкцию МДП:

+ d ++ +++

  ?.?. ???? ??????????, ?? ??? ?? ?????. ??-?? ???????

M e E ддиэл. -- U +проводника все свободные е сосредоточены на

поверхности проводника. На обкладке, представляющей

собой ПП будет наведён такой же заряд, что и в провод

нике, однако, он будет распределён неравномерно в глубь

кристалла.

Поле в диэлектрике, ввиду отсутствия объёмных

X зарядов, постоянно. В ПП р-типа, при подаче +U

на ПП, на границе ПП – диэлектрик концентрация

Uизменений р – типа увеличивается, следовательно,

увеличивается и проводимость. Увеличение концентрации оситных носителей в слое называется обогащением (уменьшение – объединением при неизменной полярности U ). По мере уменьшения dэффект поля может исчезнуть за счёт пробоя диэлектрика. Даже если диэлектрик – вакуум, возможен туннельный эффект.

Глубина проникновения поля в ПП (фактически, толщина обогащённого слоя) называется длиной Дебая (дебаевская длина).

ЭЛЕКТРОННО-ДЫРОЧНЫЕ ПЕРЕХОДЫ