Курсовая работа: Физические основы нанесения покрытий методом распыления

Для контроля плотности потока различных по своей природе испаренных частиц на практике используют следующие основные методы.

Метод ионизации испаренных атомов. Схема ионизационного датчика представлена на рисунке 10.

Рисунок 10 – Принципиальная схема ионизационного датчика для измерения плотности потока испаренных частиц: 1– катод; 2– дискриминатор; 3– коллектор ионов

Ионный ток в цепи анод – катод образуется ионами металла и ионами остаточных газов, находящихся в камере. Для разделения ионов используется механический дискриминатор, который представляет собой диск, содержащий отверстия. При вращении дискриминатора в зону ионизации поступает поток атомов, плотность которого периодически изменяется, и в измерительной цепи возникает переменный ток, амплитуда которого пропорциональна плотности направленного потока атомов анализируемого вещества.

Использование эффекта резонанса кварцевых кристаллов.

Монокристаллы кварца, вырезанные определенным образом, имеют резонансную частоту колебаний, изменение которой Df зависит от изменения массы кристалла Dm

,

где b – коэффициент пропорциональности.

Если на поверхность такого кристалла осаждать покрытие, то его толщину легко определить, измеряя изменение резонансной частоты. Приборы, принцип действия которых основан на данном эффекте, имеют высокую точность, просты при эксплуатации, Однако если в камере возникают электрические разряды, то из-за наводок измерения с помощью таких датчиков проводить нельзя.

В основе практически всех методов контроля толщины и скорости роста покрытий лежат установленные предварительно размерные зависимости физико-механических свойств. Отметим, что описанные выше методы ионизации испаренных атомов и контроля резонансной частоты можно рассматривать как методы контроля толщины и скорости роста слоев непосредственно в процессе осаждения. Кроме этих на практике широко используются следующие методы контроля толщины и скорости роста уже осажденных покрытий:

1. Оптические методы. Контроль относительно тонких, прозрачных для излучения покрытий производится путем регистрации интерференционных эффектов при взаимодействии светового потока с тонкопленочной системой. Если же покрытие достаточно толстое, то его толщину определяют путем измерения поглощения света на основании закона Буггера-Ламберта. При измерении толщины непрозрачных (металлических) покрытий регистрируют параметры интерференции на границе слоя, «ступеньке», формируемой путем экранирования части поверхности подложки.

2. Методы механического взвешивания. Заключаются во взвешивании подложки в процессе нанесения покрытия либо до и после напыления. Метод реализуется с помощью различных устройств, среди которых микровесы, регистрирующие удлинение кварцевой нити, закручивание нити или отклонение рычага от равновесия. Метод используется для определения толщины достаточно толстых покрытий.

3. Метод измерения электрофизических свойств покрытий. В качестве характерных электрофизических параметров покрытий используют их электрическое сопротивление, емкость. Если покрытие диспергированное, то оценка его толщины может быть произведена на основании установленной предварительно размерной зависимости электронной эмиссии.

В ряде случаев толщина покрытия и скорость его нанесения определяется расчетными методами. При этом учитывается, что толщина покрытия, осаждаемого на подложке, зависит от геометрической формы поверхностей испарения и подложки, их взаимного расположения.

Расчет толщины покрытия производят при условии выполнения законов Кнудсена (см. п. 7.1.1), которые являются аналогами законов рассеяния света (законов Ламберта). Эти законы справедливы, если вакуум достаточно высокий и длина свободного пробега (d – характерный размер вакуумной камеры), при этом интенсивность атомного пучка относительно низка (взаимным рассеянием атомов в потоке можно пренебречь).

Расчеты толщины осаждаемого покрытия проводят, как правило, при допущении, что коэффициент конденсации постоянен и примерно равен единице.

В зависимости от формы рабочей поверхности все испарители можно условно разделить на точечные, плоские, цилиндрические. Любую поверхность испарителя можно рассматривать как совокупность точечных и плоских элементарных источников испарения.

Характерная особенность точечных испарителей заключается в том, что они испускают атомы одинаково по всем направлениям.

Пусть мы имеем площадку dS, расположенную под углом Θ к направлению распространения испаренных атомов (рисунок 11) и находящуюся от точечного испарителя на расстоянии r.

Рисунок 11 – Нанесение покрытия из точечного испарителя: 1– точечный испаритель; 2– элемент поверхности подложки

Массовую скорость испарения из точечного испарителя v, кг/с будем считать постоянной в течение всего процесса осаждения покрытия. На поверхность dS будут осаждаться все атомы, испаренные в телесном угле dω. Испаряющееся в единицу времени в этом телесном угле количество вещества

.

Учтем, что

и .

Следовательно, количество вещества dm, кг/с, осаждаемого на площадке dS в единицу времени,

.

Тогда скорость роста покрытия на выбранном элементе поверхности подложки vp, м/с,