Курсовая работа: Фізико-технологічні основи фотолітографії
Хімічна деструкція, наприклад, позитивного резиста в сульфатній кислоті приводить до утворення коротких ланцюгів полімеру (новолаку) і сульфурованих мономерів. Після обробки в сульфатній кислоті потрібно тільки відмивання водою. Ефективне сульфування йде в нагрітій до 160°С концентрованій кислоті. Крім чистої сульфатної кислоти застосовують її суміші з двохромовокислим калієм (хромпіком) або з пероксидом гідрогену. Останнє переважаюче, тому що в хромпіку утримуються іони калію, що можуть привести до нестабільності параметрів планарних приладів. Суміш сульфатної кислоти з 30 %-им пероксидом гідрогену (3:1) забезпечує при більш низькій температурі (70-100°С) хороше очищення поверхні.
Видалення фоторезисту хімічною деструкцією сульфатною кислотою досить ефективно, але не може бути застосовано для металізованих підкладок. При нагріванні сульфатної кислоти більше 160°С може утворитися плівка сульфатного кремнію, що впливає на процеси окислювання і дифузії.
Для видалення резиста з металевих поверхонь застосовуються такі органічні розчинники, як ацетон, метилетилкетон, целлозольв. Проводять тривалі витримки пластин в органічних розчинниках з послідовним видаленням набряклого рельєфу механічним способом (тампоном). Додавання до органічних розчинників органічних основ (етаноламінів) поліпшує якість процесу. Так, досить ефективне видалення фоторезисту з алюмінію здійснюють у нагрітій до 80°С суміші диметилформаміда з моноетаноламіном (1:1); цю операцію повторюють двічі, контролюючи якість видалення в темному полі мікроскопа. Якість видалення в органічних розчинниках у великій мері залежить від температури другого сушіння. Бажано підібрати такі режими фотолітографії, щоб ця температура була мінімальною (не вище 120°С). При глибокій полімеризації резиста, що настає при 150-200°С, за допомогою органічних розчинників не вдається видалити рельєф з підкладки навіть при додатковому механічному впливі, тобто протиранню тампоном або ультразвуковій обробці.
Обмежені можливості хімічних методів обумовили необхідність розробки більш ефективних способів видалення фоторезисту, у першу чергу, з металевих поверхонь. Так, було знайдено, що при обробці резиста в середовищі кисню при температурах 700-800°С відбувається одночасно окисна і термічна деструкція, резист видаляється з великою швидкістю. Освітлення підкладки ультрафіолетовим світлом дозволяє різко знизити температуру обро