Курсовая работа: Генератор синусоидального напряжения

fгр.=2…4 fмакс=4*200000=800кГц

Выбираем пару комплиментарных транзисторов КТ 853-КТ829, которые имеют параметры Uкэм=45-100В, Iк=8А, Рк=60Вт,

Уточняем Uост=1,5В, тогда, Следовательно, стоит отдать предпочтение бестрансформаторному каскаду.

По полученной мощности рассчитываем площадь радиатора по формуле

=123,045кв.см

где Кт-коэффициент теплоотдачи, зависящий от материала, конструкции и способа обработки теплоотвода.

Для черненого ребристого алюминиевого теплоотвода обычно принимают Кт=0,8*10^-3Вт/С*кв.см

tп-температура перехода, обычно ее принимают на 5…10 градусов ниже предельно допустимой

tc-температура среды, максимальная температура по заданию

Rпп-тепловое сопротивление переход-корпус

Rкк-тепловое сопротивление корпус-теплоотвод.

Выбираем Iко=0,05Iк.макс=0,08А

Ток базы определяем следующим образом Iб.макс=Iк.макс/=2мА

Напряжение база-эмиттер максимальное определяет по входным характеристикам транзисторов.Uбэ=1,7В (см.приложение)

Номинальные значения резисторов базовых цепей выходных транзисторов определяем по формуле:=752Ом, где Uбэ.откр =1В

Мощность, рассеиваемая на резисторе Р==3,61мВт

Транзисторы для предоконечного каскада усилителя мощности должны иметь следующие параметры:

Uкэ.макс=32В, Iк.VT1.макс=Iб.VT3.макс=Iк.VT3.макс/=2мА, Рк.макс=Uкэ.макс*Iк.макс=0,064Вт

Этим требованиям отвечает пара комплиментарных транзисторов КТ3102-КТ3107, имеющих:Uкэ.макс=40В, Iк=100мА, Рк=150мВт,

Резисторы R8 и R9 определяют коэффициент усиления, поэтому R9/(R8+R9)=1/Киок =1/2

R9=R8

Ток через резисторы R9 и R8 должен быть на порядок больше чем ток базы выходного транзистора IR8,R9 >10Iб.ок

Uвых/(R8+R9)>10Iб.ок

Uвых/10Iб.ок>R8+R9

1кОм>R8+R9

R8=R9=500Ом

Цепь смещения рассчитываем из условия покоя каскада

Iко=0,08А

Iб.п.ок= Iко/=100мА/750=130мкА, (берем ток покоя коллектора примерно равным 100мА)