Курсовая работа: Исследование радиопередающего устройства
2. Амплитуда первой гармоники напряжения на коллекторе в граничном (критическом) режиме:
.
3. Максимальное напряжение на коллекторе:
.
4. Амплитуда первой гармоники коллекторного тока:
.
5. Постоянная составляющая коллекторного тока:
.
6. Максимальная величина коллекторного тока:
.
7. Мощность, потребляемая от источника коллекторного питания:
.
8. Коэффициент полезного действия коллекторной цепи:
.
9. Мощность, рассеиваемая на коллекторе транзистора:
.
10. Сопротивление коллекторной нагрузки:
.
Расчет входной цепи оконечного каскада
Данная методика расчета справедлива на частотах до (0,5…0,8) fT . Так как у транзистора КТ934В частота единичного усиления fT =700МГц , следовательно эта методика может использоваться для расчета входной цепи оконечного каскада.
Для устранения перекосов в импульсах i к (ω t ) нужно включать шунтирующее добавочное сопротивление R доп между выводами базы и эмиттера транзистора, как показано на рис. 9.
Рис. 9
Сопротивление R доп выравнивает постоянные времени эмиттерного перехода в закрытом и в открытом состоянии. Одновременно сопротивление R доп снижает максимальное обратное напряжение на закрытом эмиттерном переходе.
.
При включении транзистора с ОЭ целесообразно между коллекторным и базовым выводами транзистора включать сопротивление R О.С. , как показано на рис. 10.
Рис. 10
.
В результате включения R О.С. создается дополнительная отрицательная обратная связь на низких и средних частотах, такая же по величине, как на высоких частотах через емкость C К . В результате на всех частотах модуль коэффициента усиления по току транзистора β(ω) снижается в χ раз.
.
При работе транзистора на частотах ω>3ω T /β0 в реальной схеме генератора можно не ставить сопротивления R доп и R О.С. . Однако в последующих расчетных формулах сопротивление R доп необходимо оставлять.
1. Амплитуда тока базы 
.
2. Максимальное обратное напряжение на эмиттерном переходе 
3. Постоянные составляющие базового и эмиттерного токов 
4. Напряжение смещения на эмиттерном переходе 
5. Значения L ВХ.О.Э , r ВХ.О.Э. , R ВХ.О.Э. , C ВХ.О.Э. в эквивалентной схеме входного сопротивления транзистора на рис. 11.
Рис. 11. Эквивалентная схема входного сопротивления транзистора