Курсовая работа: Конструирование ГИМС

2.5

0,45

2.1

8.4

0,2

0,33

0,45

1,13

1,73

0,78

1.4 Выбор размера платы и разработка топологии платы

При разработке топологии ГИС, согласно приложению Б, за основу принимается принципиальная электрическая схема, преобразованная с учетом конструктивных особенностей плёночных и навесных элементов, а также межсоединений.

В ГИС пересечения проводников осуществляются двумя способами: через диэлектрик и под проволочными выводами активных элементов. В первом случае два проводника, в месте их пересечения, разделяются слоем диэлектрика, но за счёт этого появляются значительные паразитные ёмкости, поэтому чаще пользуются вторым методом, когда проводники проходят под выводами навесных элементов.

На топологическом чертеже плату изображают со всеми нанесёнными на нее слоями, с указанием позиционных изображений элементов в соответствии с принципиальной электрической схемой. Каждый слой обозначают соответствующей штриховкой. Контактные площадки нумеруются, начиная с левого нижнего угла чертежа.

При конструировании ГИС необходимо выполнять общие правила и ограничения:

1. навесные компоненты рекомендуется по возможности располагать рядами, параллельными сторонам платы;

2. не допускается установка навесных компонентов на плёночные конденсаторы, плёночные индуктивности и пересечения плёночных проводников;

3. не допускаются резкие изгибы и натяжение проволочных проводников. Не рекомендуется делать перегиб проволочного вывода через навесной компонент;

4. не допускается оставлять незакреплёнными участки гибких выводов длиной более 3 мм;

5. проволочные вывода навесных элементов надо стараться проводить как можно дальше друг от друга, так как они не натянуты и могут соприкоснуться, вызвав тем самым короткое замыкание.

Топологический эскиз моей ГИС имеет следующие особенности:

- самый большой навесной элемент – ИМС – расположен в левом верхнем углу;

- три транзистора VT5, VT6, VT9 расположены в левом нижнем углу, в ряд;

- транзисторы VT1, VT2, VT3, VT4 расположены группой в правом верхнем углу;

- самый большой резистор R6 расположен в центре платы, вертикально;

- контактных площадок 14, из них 9 расположены на верхней стороне платы, 5 - на нижней.

Площадь платы рассчитывают по формуле (1.33)