Курсовая работа: Конструирование ГИМС
-
1015
-
-
Электрическая прочность, кВ/мм
40
40
-
-
50
-
К материалу подложки независимо от конструкции и назначения микросхемы предъявляют следующие требования:
1. высокое качество обработки рабочей поверхности, обеспечивающие чёткость и прочность рисунка схемы;
2. высокая механическая прочность при относительно небольшой толщине;
3. минимальная пористость;
4. высокая теплопроводность;
5. химическая стойкость;
6. высокое удельное сопротивление;
7. близость коэффициентов термического расширения подложки и наносимых на неё плёнок;
8. низкая стоимость исходного материала и технологии его обработки.
Недостатком керамики является значительная шероховатость поверхности, что затрудняет получение воспроизводимых номиналов тонкоплёночных элементов. По этой причине керамику 22ХС используют только для толстоплёночных ГИС. Увеличение класса чистоты обработки поверхности путём глазурования керамики слоем бесщелочного стекла приводит к значительному уменьшению теплопроводности.
Для маломощных ГИС можно применять бесщелочные боросиликатные стёкла С41-1 и С48-3, а также ситаллы. Стёкла имеют низкую теплопроводность. Ситалл в 2-3 раза прочнее стекла. Так же он хорошо обрабатывается, выдерживает резкие перепады температуры, обладает высоким электрическим сопротивлением, газонепроницаем, имеет высокую сопротивляемость к истиранию, высокую химическую стойкость к кислотам, очень малую пористость, дает незначительную объемную усадку, обладает малой газоотдачей при высоких температурах.
Из приведённых выше материалов подложек я выбрал ситалл, так как он более других соответствует требованиям, предъявляемым к подложкам. Ситалл - стеклокерамический материал, получаемый термообработкой стекла. Он достаточно легко поддается обработке: его можно прессовать, вытягивать, прокатывать и отливать центробежным способом.
Пленочные резисторы конструктивно состоят из резистивной пленки определенной конфигурации и контактных площадок в соответствии с приложением В. Параметры тонкопленочных резисторов определяются свойствами применяемых резистивных материалов, толщиной резистивной пленки и условиями ее формирования. Для создания ГИС необходимы резистивные пленки с удельным поверхностным сопротивлением ρS от десятков до десятков тысяч Ом на квадрат. Чем меньше толщина пленок, тем выше ρS , но одновременно повышается ТКР, а также ухудшается временная и температурная стабильность пленок.
В качестве резистивных материалов используют чистые металлы и сплавы с высоким электрическим сопротивлением, а также специальные резистивные материалы – керметы, которые состоят из частиц металла и диэлектрика. Широко распространены пленки хрома и тантала. Из сплавов часто используют нихром, имеющий малое значение ρS по сравнению с пленками чистых металлов. При сравнительно малом ТКР и высокой стабильности воспроизведения удельных поверхностных сопротивлений диапазон номиналов сплавов ρS достаточно
широк: 50 Ом/□ – 50 кОм/□.Параметры резистивных материалов представлены в таблице 1.2.
Таблица 1.2 Параметры материалов пленочных резисторов
|
Материал резисторов |
Материал К-во Просмотров: 550
Бесплатно скачать Курсовая работа: Конструирование ГИМС
|