Курсовая работа: Конструирование

КД105Б

4

I_ПФ =0,2A

I_ПТ =1A

0,2

0,1

0,1

0,01

0,04

АЛС331А

1

¾

¾

0,5

0,5

0,1

0,05

0,05

КУ202Н

1

I_ПФ =0,5A

I_ПТ =2A

0,4

0,3

0,1

0,03

0,03

ФД263

1

¾

¾

0,5

0,5

0,1

0,05

0,05

Трансформатор

ТС-20

1

¾

¾

¾

0,5

0,5

4,2

2,1

2,1

Микросхема

¾

3

¾

¾

¾

0,5

0,5

0,013

0,006

0,018

Пайка

¾

¾

¾

¾

¾

¾

¾

0,03

0,015

0,3

Таблица 2.3.

Наименование элемента	lо ·10-6 1/час
Микросхемы средней степени интеграции Большие интегральные схемы	0,013 0,01
Транзисторы германиевые: Маломощные Средней мощности Мощностью более 200мВт	0,7 0,6 1,91
Кремниевые транзисторы: Мощностью до 150мВт Мощностью до 1Вт Мощностью до 4Вт	0,84 0,5 0,74
Высокочастотные транзисторы: Малой мощности Средней мощности	0,2 0,5
Транзисторы полевые	0,1
Конденсаторы Бумажные Керамические Слюдяные Стеклянные Пленочные Электролитические(алюминиевые) Электролитические(танталовые) Воздушные переменные	0,05 0,15 0,075 0,06 0,05 0,5 0,035 0,034
Резисторы: Композиционные Плёночные Угольные Проволочные	0,043 0,03 0,047 0,087
Диоды: Кремниевые Выпрямительные Универсальные Импульсные	0,2 0,1 0,05 0,1
Стабилитроны Германиевые	0,0157
Трансформаторы: Силовые Звуковой частоты Высокочастотные Автотрансформаторные	0,25 0,02 0,045 0,06
Дроссели: Катушки индуктивности Реле	0,34 0,02 0,08
Антенны Микрофоны Громкоговорители Оптические датчики	0,36 20 4 4,7
Переключатели, тумблеры, кнопки Соединители Гнёзда	0,07n 0.06n 0.01n
Пайка навесного монтажа Пайка печатного монтажа Пайка объёмного монтажа	0,01 0,03 0,02
Предохранители	0,5
Волноводы гибкие Волноводы жёсткие	1,1 9,6
Электродвигатели Асинхронные Асинхронные вентиляторы	0,359 2,25

Определим произведение коэффициентов влияний:

l_i = a х l_о , (2.1)

где:

l_i - произведение коэффициентов влияний;

a - коэффициент влияния температуры;

l_о - интенсивность отказов.

l_i =0,50,2=0,1

В двенадцатой колонке определяем:

l_с = l_i х n, (2.2)

где:

l_i - произведение коэффициентов влияний;

n - количество элементов.

l_с =0,11=0,1

Определим среднее время наработки на отказ:

, (2.3)

где:

Т_ср – среднее время наработки на отказ

Sl_с – суммарное значение двенадцатой колонки

Sl_с = 7,83

Т_ср = 1/7,8310^-6 = 1,310⁵ часов

3. Конструкторская часть

3.1 Обоснование выбора элементов схемы

3.1.1 Обоснование выбора транзисторов

В ключевом режиме работает транзистор VT2 ПДУ. Произведём выбор наиболее подходящего полупроводникового прибора из ниже приведённого списка.

Таблица 3.1

Тип транзистора	Обратный ток коллектора	Номинальный прямой ток коллектора
КТ315Б	1мкА	0,3А
КТ101А	1мкА	0,1А
КТ312А	1мкА	0,2А