Курсовая работа: Методи розділення та очистки речовин

ЗМІСТ

Вступ

1. Спільна характеристика чистоти речовини

2. Класифікація процесів розділення і очистки

2.1 Процеси, що базуються на сорбції

2.2 Процеси, що базуються на екстракції

2.3 Кристалізаційні процеси

2.4 Перегонка через газову фазу

2.5 Очищення речовин за допомогою хімічних транспортних реакцій

2.6 Інші процеси розділення і очищення речовин

Висновки

Список використаної літератури

Вступ

В основі всіх способів глибокої очистки діелектричних і напівпровідникових матеріалів і їх компонентів використовується відмінність в хімічних, фізичних і фізико-хімічних властивостях компонентів, що розділяються. Звідси слідує що при істотній відмінності у властивостях компонентів, розділення може здійснюватися відносно легко, і навпаки, проблема очистки стає складною в тому випадку, якщо матеріал, що очищується, і домішка дуже близькі по своїх фізико-хімічних характеристиках.

Розроблена значна кількість процесів розділення і очистки речовин, у тому числі напівпровідникових і діелектричних матеріалів і їх компонентів, проте ще немає єдиної і чіткої класифікації цих процесів, що утруднює вибір оптимального процесу у кожному конкретному випадку.

Найбільшого поширення набула класифікація процесів розділення і очистки, заснована на діленні їх по фізико-хімічних властивостях речовини, використовуваних для розділення компонентів.

У курсовій роботі на основі цієї класифікації розглядаються фізико-хімічні основи процесів розділення і очистки матеріалів.

Мета роботи

Розглянути фізико-хімічні основи процесів розділення і очистки матеріалів.

1.Спільна характеристика чистоти речовини

Поняття хімічної чистоти матеріалів, а також способи її вираження різні і залежать від сфери застосування матеріалів.Речовину вважають достатньо чистою, якщо вміст домішок в ній не перевищує ту кількість, яка заважає використати цю речовину для заданої мети.

В хімічній і металургійній промисловості, в залежності від степені очистки речовини встановлюють слідуючі класи:

1) "чистий" (марки Ч, містить від до домішок);

2) "чистий для аналізу" (марки ЧДА, містить від до 0,4% домішок);

3) "хімічно чистий" марка ХЧ, містить від 5*10^(-6) до 0,5% домішок;

4) "особливо чистий" (марка ОСЧ, вміст домішок не більше 0,05%).

Неметали і хімічні сполуки відносять до високо чистих речовин, якщо вміст домішок, що лімітуються, в них не менше ніж на порядок нижче в порівнянні з відповідною маркою ХЧ і на два порядки – для марки ЧДА і на три порядки для марки Ч.

До високо чистих речовин відносяться метали і напівпровідникові матеріали, якщо вміст кожної з контрольованих домішок в ній не перевищує (по масі) ,а також гази, якщо вміст кожній з контрольованих домішок в них не перевищує (об'ємн.).

Високо чистим речовинам в залежності від кількості і сумарної концентрації контрольованих домішок присвоюються марки ВЭЧ ("вещества эталонной чистоты") і ОСЧ("особо чистые вещества").

--> ЧИТАТЬ ПОЛНОСТЬЮ <--