Курсовая работа: Методика расчета схем амплитудных ограничителей

Коэффициент Н определяется графиком на рис. 2.5. Он представляет собой часть амплитудной характеристики ограничителя, работающего в нелинейном режиме. Из нее следует, что пороговое напряжение ограничителя

(2–22)

а выходное напряжение при

. (2–23)

Рисунок 2.5 – Амплитудная характеристика AO, работающего в нелинейном режиме

2.4 Примеры расчетов ограничителей амплитуды

2.4.1 Пример расчета диодного ОА

Рассчитать параметры диодного ограничителя амплитуды на транзисторе ГТ308В при f _пр = 8,4 МГц и Е_к = 9 В. Селективной системой служат два связанных контура дифференциального детектора. Первый из них изображен на рис. 2.1, а второй для упрощения схемы не показан.

Выбираем диоды Д9Б (S_np = 0,01 См, R_i = 100 Ом, γ = 20 1/В). Зададимся напряжением запирания Е₃ = 0,5 В, током потенциометра I _п = 0,5 мА и рабочей точкой транзистора при I _к = 1 мА и U_{K 3} = 5 В (Y₂₁ = 0,035 См, С₁₂ = 1 пФ). Согласно формулам (2–1) получем: (выбираем резисторы сoпротивлением 330 Ом, 16 кОм и 1 кОм соответственно). Параметры остальных элементов схемы вычисляем, используя приведенную методику.

По (2–24) вычисляем устойчивый коэффициент усиления транзистора:

. (2–24)

. Эквивалентная проводимость контура . По (2–7) получаем . Из равенства (2–8) находим коэффициент включения контура в коллекторную цепь р_к = =11,5/416 = 0,028. Находим проводимость шунтирующего сопротивления коллекторной цепи: (R_ш = 13 Ом). По (2–2) вычисляем С_р =10/(8 400 00013) = 910^-8 Ф. При U _д = 0 из равенства (2–10) находим . Зададимся U _{т д} =0.5 B, тогда γU_{m д} = 2000,05= 1 и по [3] получаем θ=0,57. Из уравнения (2–3) вычисляем g _вх =

=20,5710^-5 /0,05=22810^-6 См. При U_тл > 0,5 В согласно (2–4) получим g _{в x} > 10мСм. Поскольку ограничивающих диодов два, то подставляем в формуле (2–6) 2g _нх вместо g _вх и получаем: . Амплитуду напряжения на всем контуре вычисляем по (2–9) U_{m вых} = 0,5+0,05 = 0,55 В.

Данные, полученные путем аналогичных расчетов для других значений U _{т д} , приведены в табл. 2–1. По полученным значениям на рис, 2–2 построена амплитудная характеристика ограничителя амплитуды (кривая 1). При Е₃ = 1 и Е₃ = 0,3 В входное и выходное напряжения соответствуют вариантам 2 и 3 табл. 10–1 и кривым 2 и 3 на рис. 2–2. Если при условиях варианта применять только один диод, то для этого будут справедливы характеристики варианта 4 и кривая 4 на ряс. 2–2. Сравнение кривых 3 и 4 показывает, что при одном диоде характеристика ограничения ухудшается лишь на 10–20%, поэтому ограничители амплитуды с одним диодом применяются часто.

Таблица 2.1 – Результаты вычислений U _вх , U _вых в зависимости от U _{т д}

Вариант		U т д , В
		0	0,05	0,1	0,15	0,2	0,25	0,3
1	U вх , мВ	7,2	51	« 1 2 3 4 5 6 7 8 » К-во Просмотров: 412 Бесплатно скачать Курсовая работа: Методика расчета схем амплитудных ограничителей >>> Скачать <<< Меню Поиск