Курсовая работа: Обґрунтування й вибір функціональної схеми пристрою
Iк.VT1.п.=1,4мА
Iб.VT1.п= Iк.п.VT1/
=1.4*0.001/60=23мкА
По вхідній характеристиці транзистора VT1 визначаємо напруга база-емитер спокою, що рівне прямому спаданню напруги на діодах.
Uпр.=Uбе.п.=0,6У(при Iпр.>10Iб.п.VT1, Iпр.=0,23мА)
Підбираємо діод КД228, що має наступні характеристики:
Iпр.макс=7,5А
Uпр.макс=0,65У
Розрахуємо резистори R5 і R6
IR5=Iб.п.VT1+Iд.=0,25мА
UR5= Eк-Uб.е.п.VT1=22-0.6=21.4В
R5=21.4/0.25мА=85,6кОм
РR5=21.4*21.4/85600=0.00535Вт
Опір R1 визначає вхідний опір підсилювача потужності, і повинне становити порядку 10 кОм. Беремо R1=47 кОм, тому що цей опір рекомендований для більшості підсилювальних пристроїв.
R3=47кОм (для того щоб не було розбалансу)
РR1=Uвх 2/Rн=0,1914мВт
PR3=6.148мВт
Опір R2 визначає коефіцієнт передачі РОЗУМ у цілому,
ми задалися 
=1/Ки=0,15
R2/(R2+R3)=0.15
R2=8294Ом
Напруга на вході, що інвертує, дорівнює напрузі на що не інвертує й дорівнює 3У
Р=U^2/R=0.001Вт
Конденсатор З1 вибираємо з умови, що C1 і R1 високочастотний фільтр першого порядку, 
=R1*C1>1/2*
*fн
З1=0,17мкФ
2=C2*R2>1/2* *fн
З2=6мкФ
4. Висновок і виводи по відповідності характеристик і параметрів пристрою вимогам технічного завдання
Розрахунок джерела живлення
