Значение Р_{К МАКС} является исходным параметром для расчета температуры в структуре транзистора и системы его охлаждения.

РАССЧЕТ ВХОДНОЙ ЦЕПИ УМ В СХЕМЕ С ОЭ

Предполагается, что между базой и эмиттером АЭ по радиочастоте включен резистор R_Д , предназначенный для устранения перекосов в импульсах коллекторного тока. Его сопротивление:

R_Д = 113,663 Ом

При R_Д = 113,663 Ом обратное напряжение, приложенное к эмиттерному переходу составляет U_{БЭ МАКС} = 18,108 В, что значительно превосходит допустимое U_{БЭ ДОП} = 4 В. Для снижения напряжения U_{БЭ МАКС} до приемлемого значения примем R_Д = 27 Ом.

1. Амплитуда тока базы:

, где

c = 1 + g₁ (Q)× 2 × p × f_Т × С_К × R_ЭК c = 1,982

2. Максимальное обратное напряжение на эмиттерном переходе:

, где

E` = 0,7 В – напряжение отсечки транзистора

U_{БЭ МАКС} = 3,768 В < U_{БЭ ДОП} = 4 В

3. Постоянные составляющие базового и эмиттерного токов:

I_Б0 = 0,027 А

I_Э0 = I_К0 + I_Б0 I_Э0 = 1,625 А

4. Напряжение смещения на эмиттерном переходе:

, где

r_Э = 0,09 Ом;r_Б » 0 Ом

E_Б = -0,579 В

5. Значения L_ВХ.ОЭ , r_ВХ.ОЭ , R_ВХ.ОЭ , C_ВХ.ОЭ в эквивалентной схеме входного сопротивления транзистора (рисунок 4):

Рисунок 4. Эквивалентная схема входного сопротивления транзистора.

L_ВХ.ОЭ = 3,36 нГн

, где

С_КА = 0,25×С_К – барьерная емкость активной части коллекторного перехода

r_ВХ.ОЭ = 0,878 Ом

R_ВХ.ОЭ = 14,033 Ом

С_ВХ.ОЭ = 2,722 нФ

6. Резистивная и реактивная составляющие входного сопротивления транзистора