Курсовая работа: Підсилювач підмодулятора радіомовного передавача

Таким чином, можна зробити висновок, що дана мікросхема не завалює на верхній частоті частотну характеристику більше ніж на 3 дБ, що є задовільним результатом. Але для забезпечення завалу у 3 дБ необхідно ввести додатково коректувальний конденсатор. Його ємність буде розраховано у електричному розрахунку з урахуванням його завалу на 3 дБ.

В якості регулятора гучності можна використати змінний резистор. Така схема буде простішою за схему з додатковим постійним резистором і буде забезпечуватись більша глибина регулювання вхідного сигналу. Оскільки вхідний опір є невеликим, то необхідно використати змінний резистор з невеликим опором. Таким чином обирається резистор PVZ3K301 300 Ом 5%, оскільки використовується узгодження по потужності. Для захисту від постійної складової вхідної напруги на вході регулятора вводиться розділовий конденсатор. Його ємність буде визначена в електричному розрахунку. Структура такого регулятора гучності наведена на рисунку 1.4.

Рисунок 1.3 – Структурна схема регулятора гучності

2. Електричний розрахунок

2.1 Розрахунок регулятора гучності

В схемі підсилювача є два розділових конденсатора. Нехай перший конденсатор, на вході пристрою, забезпечує завал на 2 дБ, а другий, що розміщений між регулятором гучності та підсилювачем, буде підібраний так, щоб забезпечити мінімальний завал. Отже розрахуємо конденсатор С1 у відповідності до опору гучності та необхідного завалу:

Отже, обирається конденсатор С1 К50-15-32 мкФ.

2.2 Розрахунок підсилювача потужності на ІМС

Резистор R2, що формуватиме вхідний опір буде типу С1-4-0,25 Вт-8,2 кОм2%.

В типовій схемі включення даної мікросхеми [рисунок 1.2] резистори в зворотньому зв'язку розраховані на коефіцієнт підсилення в 25,2 дБ, тому необхідно розрахувати ці резистори для іншого коефіцієнта підсилення. Схема електрична принципова зображена на рисунку 2.2. Нехай резистор R4 буде опором 1 кОм. У відповідності до цього номіналу обирається резистор С1-4-0,25 Вт-1 кОм2%. Оскільки у схемі є ще один резистор R3 опором 1 кОм, то його тип буде такий же як і резистора R3.

Резистор R5 необхідно розрахувати у відповідності до необхідного коефіцієнта підсилення:

Найближчим резистором є резистор R5 С2-29В-0,125-2МОм±1%.

Резистор R6, що розміщений у корегувальному колі буде типу C1-4-0,25 Вт-120 Ом2%.

Далі здійснюється розрахунок конденсаторів. Розділовий конденсатор С13 не повинен забезпечувати завал на НЧ, тому:

Обирається конденсатор С9 К50-20В 100 В 4 мкФ.

Конденсатор С8 обирається типу К52-7А-1000 мкФ-63 В.

Конденсатор С7 необхідно підібрати так, щоб він не викликав завал частотної характеристик на НЧ. Тому його розраховують за формулою:

Обирається конденсатор номіналом К52-2-30 В-32 мкФ.

Конденсатор С10 розраховується відповідно до необхідного завалу на 1,57дБ

Обираючи з стандартного ряду номінальних ємностей, приймемо С10 К10-17В-63 В-9 пФ.

Конденсатор С12 не потрібно змінювати, оскільки коло, в яке він входить, розраховано розробниками мікросхеми. Даний конденсатор обирається типу К22-5-63 В-100 пкФ. [5]

Схема електрична принципова розрахованого підсилювача зображена на рисунку 2.3.

Для забезпечення роботи підсилювача в двох діапазонах частот (50 Гц – 6,4 кГц; 150 Гц – 4,5 кГц), потрібно змінювати розділовий конденсатор С1 для забезпечення необхідної смуги пропускання на рівні -3 дБ, тобто, щоб частотні спотворення на крайніх частотах діапазонів дорівнювали 3 дБ.

Конденсатор С1 вже розрахований для нижньої граничної частоти 50 Гц. Розрахуємо ємність розділового конденсатора С2 для нижньої частоти 2-го діапазону 150 Гц.

Отже, за формулою розраховується ємність конденсатора, що забезпечить дані спотворення