Курсовая работа: Полевой эффект и его применение

Введение

Глава 1 Обзор литературы

1.1 Эффект поля в германии при высоких частотах

1.2 Применение эффекта поля

1.3. Полевой транзистор с управляющим р—n-переходом (ПТУП)

1.4 Транзисторы со структурой металл-диэлектрик-полупроводник (МДП)

1.5 Пленочные полевые транзисторы (ППТ)

Глава 2 Физические основы полевого эффекта

2.1 Дрейфовый ток в полупроводниках

2.2 Диффузионные токи в полупроводниках

2.3 Зависимость эффективной подвижности электронов в канале от напряжения на затворе

2.4 Поверхность полупроводников

2.5 Электромагнитная теория и полевой эффект

2.6 Статистика Ферми

2.7 Образование обедненных, инверсионных и обогащенных слоев в полупроводнике

Глава 3 Применение полевого эффекта

3.1 Полевые транзисторы

3.2 Полевые транзисторы с изолированным затвором

3.3 МДП-транзистор с индуцированным каналом

3.4 МДП-транзисторы со встроенным каналом

3.5 Параметры и свойства полевых транзисторов с изолированным затвором

Глава 4 Характеристики полевого транзистора

4.1 Статические характеристики

4.2 Величины Icнac0 и Vнac

4.3 Зависимость тока насыщения стока от температуры

4.4 Пробивное напряжение

4.5 Токи утечки

4.6 Активное сопротивление открытого канала

4.7 Работа прибора на низких частотах в режиме малого сигнала

--> ЧИТАТЬ ПОЛНОСТЬЮ <--