Курсовая работа: Получение арсенида галлия
Ga (ж) + HCl (г) → GaCl (г) + 1 /2 H2 (г)
Газообразный GaCl переносится в более холодную часть камеры (T2 =T1 - 25÷50°) и частично диссоциирует:
3GaCl → 2Ga + GaСl3
После того как образовался насыщенный раствор мышьяка в галлии, свободный мышьяк переносится вместе с GaCl и во второй зоне происходит одна из двух возможных реакций:
3GaCl + 2As →2GaAs+GaCl3
3GaCl + 3As + 3 /2 H2 →3HCl + 3GaAs.
В результате реакций стенки реакционной камеры и расположенные в камере подложки покрываются пленкой GaAs. Структурное совершенство пленок и их электрофизические свойства зависят от многих параметров: структурного совершенства состояния поверхности и химической чистоты подложки, чистоты реагентов и чистоты установки, скорости роста и постоянства условий роста (постоянство скорости потока, постоянство температуры).
Наиболее эффективным методом очистки поверхности подложки является газовое травление непосредственно в реакционной камере до начала процесса нанесения пленки. Для этого в начале эксперимента температура зоны осаждения должна превышать температуру первой зоны. Через аппарат пропускают парогазовую смесь в течение нескольких минут; после чего температуру зоны понижают до ее нормального значения и проводят процесс.
Заключение
Для изготовления различных приборов на арсениде галия можно использовать слои различной степени легирования. Поэтому выбор способа получения слоев может корреспондироваться с типом приборов, для которых они предназначены. Большой интерес представляет электрохимическое получение арсенида галлия для дальнейшего использования в пленочных преобразователях солнечной энергии.
Несмотря на то, что работы по арсениду галлия ведутся широким фронтом, его возможности далеко неисчерпанны.
Используемая литература
1. В.Н. Черняев, Л.В., Кожитов “ Технология получения эпитаксиальных слоев арсенида галлия и приборы на их основе." 1974 г.
2. Материал из Википедии - свободной энциклопедии. www.wikipedia.org 2009 г.
3. “Материалы Электронной Техники" В.В. Пасынков, В.С. Сорокин. 1986 г.
4. “Технология Материалов и Электронной Техники" А.В. Каменская, Новосибирский Государственный Университет 1999 г.