Курсовая работа: Приемники непрерывных сигналов

Обобщенная структурная схема приемника приведена на рис.4

Рис.4

Особенности построения структурной схемы приемника следующие:

в диапазонном приемнике необходимо показать сопряженную перестройку каскадов ВЦ, УСЧ и Г приемника;

около каждого вида устройства показать их количество N=? и тип фильтров (ОКК; ДПФ, ФСС), а также тип микросхемы;

ввести АРУ и показать какое количество усилительных каскадов охватывает система АРУ;

показать ЧАП или ФАП промежуточной частоты, уменьшающий запас по полосе приемника, если расчеты показали, что он необходим;

вместо Д, показанного на рис.4, необходимо ввести конкретный вид этого детектора:

для АТ сигналов – АД,

для ЧТ сигналов – ЧД ( перед «обычным» ЧД необходим ограничитель),

для сигналов с ОМ – СД (синхронный детектор). Обычно СД – это ФД, который формирует выходной сигнал с учетом не только разности фаз входных колебаний, но и их амплитуд. Для работы любого ФД необходимо опорное колебание. Для ОМ колебаний с остатком несущей опорное колебание выделяется в ФОН (фильтр остатка несущей) и поддерживается системой ФАП (рис.5). Для ОМ колебаний с полностью подавленной несущей опорное колебание формируется в высокостабильном генераторе (рис.6). Как следует из рисунков, перед СД ставится ФБП (фильтр боковой полосы), выделяющий спектр полезного сигнала, содержащийся в боковой полосе.

Рис. 5

Рис.6


Приложение 1

Параметры биполярных транзисторов

Тип транзистора (МГц) (Ом) (пФ) (пС) Шт (дБ) (Ом) (Ом)
КТ 342 В 300 200 400 4 700 7 5 50
КТ 306 А 500 30 30 5 500 15 30 100
КТ 306 Б 650 30 60 5 500 15 30 100
КТ 3126 А 500 7 100 2,5 15 8 5 6
КТ 3127 А 600 6 150 1 10 5 5 10
КТ 316 А 600 17 60 3 50 10 15 16,7
КТ 316 Б,В 800 17 120 3 50 10 15 16,7
КТ 316 Г 600 17 100 3 150 10 15 50
КТ 316 Д 800 17 300 3 150 10 15 50
КТ 3128 А 800 7 150 1 5 5 6 5
КТ 397 А 800 25 300 1,3 40 6 20 30,8
КТ 3109 А 800 8 15 1 10 6 7 10
ГТ 311 А 770 8 70 1,8 50 8 8 27,8
ГТ 311 Б 1500 8 80 1,5 100 5,1 8 66,7
ГТ 311 Г 1500 8 60 1,5 75 5,1 8 50
ГТ 311 Д 1500 7 110 1,5 75 5,1 8 50
ГТ 329 А 1200 22 100 2 15 4 10 7,5
Т 341 А 1950 60 60 1 10 4,5 30 10
КТ 382 А 2250 3 330 2 6 3 3 3
КТ 382 Б 2250 3 330 0,7 5,5 4,5 3 2,8
КТ 372 А 2400 20 10 1 9 3,5 8 9
КТ 372 Б 3000 20 10 1 9 3,5 8 9
КТ 371 А 3600 10 200 1,2 10 5 8 8,3
Т 362 4800 5 200 1 10 4 8 10
ГТ 362 Б 4800 5 200 0,5 30 4 8 6
КТ 391 А 7000 8 150 0,7 3,7 4,5 7 5,3
КТ 391 Б 7000 8 150 1 3,7 4,5 7 5,3
КТ 368 А 7000 6 300 1,7 15 3,3 5 2,8
КТ 368 Б 7000 6 300 1,7 15 2,8 5 2,8
КТ 3115 А-2 7500 9 20 0,6 9 5 7 15
КТ 3124 А-2 8000 6 200 0,6 2,5 5 5 4,2
КТ 610 А 10000 12 300 4,1 55 6 10 13,4
КТ 610 Б 7000 12 300 4,1 22 6 5,4

Приложение 2

Параметры транзисторов на частотах ниже 500 МГц.

При включении транзисторов в усилительный каскад по схеме с общим эмиттером параметры транзистора приведены в таблице 1, где:

- прямая проводимость (крутизна) транзистора,

- обратная проводимость транзистора,

- выходная проводимость транзистора,

- входная проводимость транзистора.

Таблица 1

Параметры транзистора Расчетные формулы

К-во Просмотров: 862
Бесплатно скачать Курсовая работа: Приемники непрерывных сигналов