Курсовая работа: Проблемы развития источников вторичного электропитания
Содержание
Введение
Проблемы развития источников вторичного электропитания
1. Сложившееся положение
2. Тенденции развития транзисторных преобразователей электроэнергии
Вывод
Литература
Введение
Тема исследовательской работы "Проблемы развития источников вторичного электропитания" по дисциплине "Конструирование источников питания".
В работе приведены результаты исследования влияния параметров силовых элементов на габаритно-массовые и энергетические характеристики источников питания, показана необходимость совершенствования разработки и технологии мощных полупроводниковых приборов, оптимизации электромагнитных нагрузок и частоты преобразования в источниках вторичного электропитания (ИВЭ).
В 2003 г. исполняется 50 лет существования отечественной транзисторной электроники. Главным результатом работ, выполненных за эти десятилетия, следует считать превращение транзистора из экзотического "заменителя электронной лампы" в массовое и универсальное техническое средство, обеспечившее дальнейшее развитие радиотехники, создание современной вычислительной техники и рождение новой преобразовательной техники.
Для энергетического преобразовательного направления создание транзистора означало появление возможности применения электронных методов преобразования электрической энергии вместо ранее применявшихся электромеханических методов, что обеспечивало полную бесконтактность устройств и многократное уменьшение их массы и объема.
Примерно 15 лет потребовалось для создания основ теории и методов проектирования различных классов транзисторных устройств, как правило, не имевших ранее аналогов в науке и технике. В 1969-70 гг. начался процесс миниатюризации преобразовательных устройств на основе применения бескорпусных кремниевых приборов, гибридно-пленочных технологий и оптимизации электрических процессов. Вскоре возможности использования транзисторов расширились от напряжений в десятки вольт до сотен вольт.
Накопление и обобщение научных и практических результатов позволило в 1977 г. создать первую в нашей стране систему постоянно повышенного (270 В) напряжения, в которой все энергетические процессы для электропитания электронных устройств, для управления электродвигателями, для бесконтактной коммутации и защиты выполнялись только транзисторными устройствами.
В эти же годы в связи с промышленными, оборонными и бытовыми потребностями началось быстрое увеличение количества находящихся в эксплуатации преобразовательных устройств, превысившее в настоящее время 100 млн.
Продолжается развитие теории транзисторных устройств самого различного назначения. Продолжается процесс их миниатюризации, ставший одновременно важной составляющей ресурсосбережения в масштабах страны. Системность применения транзисторных энергетических устройств постепенно развивается. Массовость их использования уже достигнута и продолжается увеличиваться.
энергетический полупроводник электромагнитный частота
1. Сложившееся положение
В электротехнике и энергетике малых мощностей (до десятков киловатт) сложилось положение, которого ранее никогда не было. Единственное техническое средство, т.е. силовой транзистор, стал основным и наиболее эффективным для организации всех процессов: преобразования электроэнергии, регулирования мощности, коммутации, защиты.
Такая универсальность транзистора объясняется тем, что он является регулируемым сопротивлением, которое можно изменять по самым различным законам во времени. Взаимодействие такого полностью управляемого сопротивления с индуктивными и емкостными накопителями энергии позволяет осуществить любые процессы преобразования электроэнергии. Альтернативы этому методу в теории электрических цепей нет.
Таковы в самой краткой форме результаты работ за пятьдесят лет существования транзисторной преобразовательной техники. Но на каждом этапе этой работы некоторые проблемы были наиболее острыми. Современное состояние преобразовательной электроники заставляет обратить внимание на очередные проблемы миниатюризации устройств, от решения которых зависит возможность развития новых систем.
Сущность этих проблем вытекает из изображенного на рис.1 соотношения между конструкторско-технологическими и энергетическими возможностями миниатюризации преобразовательного устройства заданной мощности. За период с 1953 по 2003 гг. изображен процесс изменения Vk - объема, определяемого конструкторско-технологическими методами, и VТ - объема, определяемого поверхностью, необходимой для отвода тепла.
Рис.1. Изменения во времени конструктивного и теплового объема транзисторных преобразователей электроэнергии
Обратим внимание на то, что при очень существенном изменении всех параметров элементной базы КПД устройств изменился очень мало. Все отличия высокочастотных кремниевых приборов от низкочастотных германиевых практически скомпексировались. Совершенно иное положение с минимальным конструктивным объемом Vk , который претерпел два существенных скачка.
Первый скачок произошел в начале 70-х гг. в связи с появившимися возможностями использования бескорпусных приборов и гибридно-пленочных технологий. Появились конструкции, для которых характерно было примерное равенство Vk =Vt , т.е. которые при естественной конвекции не требовали или почти не требовали дополнительной тепло отводящей поверхности. При этом удельная мощность устройств определялась в диапазоне 100-300 Вт/дм3 . Однако уже тогда обнаружились возможности создания конструкций, у которых Vk ≤Vt , но это различие еще не было существенным.
Второй скачок произошел в конце 80-х гг. в связи с повышением частоты коммутации до сотен килогерц и выше на основе использования резонансных и квазирезонансных процессов. Удельная мощность устройств стала обозначаться некоторыми изготовителями равной нескольким тысячам Вт/дм3 . Но КПД преобразователей остался прежним, и очень существенным стало различие между Vk и Vt (рис. 1). Само понятие удельной мощности приобрело второй смысл, так как она стала определяться при заданной температуре корпуса, а не окружающей среды.
Одновременно выпускаются ИВЭ, имеющие все необходимое для обеспечения теплоотвода в определенных эксплуатационных условиях, но их удельная мощность обычно составляет 150-300 Вт/дм3 .
Появились две системы определения удельной мощности ИВЭ, значения которой отличаются на порядок. Возникает естественный вопрос, насколько же отличаются собственно ИВЭ, к которым относятся эти обозначения.
--> ЧИТАТЬ ПОЛНОСТЬЮ <--