Курсовая работа: Проектирование и испытание фототранзистора

- Коэффициент усиления на фототоках ;

- Вольтовая чувствительность h^e ₁₃ ;

- Тоновая чувствительность;

- Токовая чувствительность с общим эмиттером ;

Выходные данные:

х₁ (GaAs) = 4,53 eB; х₁ (Ge) = 4,66 eB

φ₀ =0,15 eB; р ₀ =10¹⁴ см^-3 ;

j ₀ =10^{-12 A} ; n ₀ =10¹⁵ см^-3 ;

Т= 300 К; q=-1.6·10¹⁹

Диэлектрическая постоянная вычисляется по формулам:

в p-области (2.1)

в n –области (2.2)

На границах гетеропереходов при х=0 должно выполнятся условие неразрывности нормальной составляющей электрической индукции:

(2.3)

φ₁ (х) и φ₂ (х), х=0 находим

(2.4)

(2.5)

где

(2.6)

Полная контактная разница потенциалов на границе гетеропереходов равна отношению:

φ₀ = φ₁ (0) + φ₁ (0) (2.7)

Теперь найдем толщину объемного заряда:

= 0,6·10^-7

= 0,145·10^-7

Теперь рассчитаем толщину объемного заряда:

L=Ln+Lp=0,6·10^-7 +0,145·10^-7 =0,745·10^-7см .

Вольтамперная характеристика гетероперехода

(2.8)

При І₀ = const, I=I₀ –обратное смещение.