Для получения усиленного выходного напряжения в нее включают сопротивление нагрузки.

Работа усилительного каскада происходит следующим образом. Представим коллекторную цепь в виде эквивалентной цепи (рис.3.).

Напряжение источника Е2 делится между Rн и внутренним сопротивлением транзистора го, которое он оказывает постоянному ток коллектора.

Внутреннее сопротивление транзистора примерно равно сопротивлению коллекторного перехода для постоянного тока:

Если во входную цепь включить источник колебаний, то при изменении его

напряжения изменяется ток эмиттера. Это вызывает изменение r_ко , что приводит к перераспределению напряжения источника Е2 между R_o и r_ко . При этом переменное напряжение на нагрузке может быть получено в десятки раз больше, чем входное.

Изменение тока коллектора примерно равно изменению тока эмиттера и во много раз больше изменения тока базы, поэтому в рассматриваемой схеме получают значительное усиление тока и очень большое усиление мощности.

1.2 Усилители на биполярных транзисторах

В усилителях на биполярных транзисторах используется три схемы подключения транзистора: с общей базой (рис.4;

7), с общим эмиттером (рис.5;

8), с общим коллектором (рис.6;

Рис.4 Рис.5 Рис.6

Рис.7 Рис.8 Рис.9

На рисунках 4-6 показаны схемы включения транзисторов с питанием входных и выходных цепей от отдельных источников питания, а на рисунках 7 - 8 - с питанием входных и выходных цепей транзистора от одного источника постоянного напряжения.

Усилители в схеме включения транзистора с общей базой характеризуются усилением по напряжению, отсутствием усиления по току, малым входным сопротивлением и большим выходным сопротивлением.

Усилители в схеме включения транзистора с общим коллектором характеризуются усилением по току, отсутствием усиления по напряжению, большим входным сопротивлением и малым выходным сопротивлением.

Наибольшее распространение получила схема включения с общим эмиттером. В схеме включения транзистора с общим эмиттером усилитель обеспечивает усиление по напряжению, по току, по мощности. Такой усилитель имеет средние значения входного и выходного сопротивления по сравнению со схемами включения с общей базой и общим коллектором.

Сравнительные характеристики усилителей приведены в таблице:

Параметр	Схема ОЭ	Схема ОБ	Схема ОК
коэффициент усиления по току	Десятки-сотни	Немного меньше единицы	Десятки-сотни
коэффициент усиления по напряжению	Десятки-сотни	Десятки-сотни	Немного меньше единицы
коэффициент усиления по мощности	Сотни - десятки тысяч	Десятки-сотни	Десятки-сотни
Входное сопротивление	Сотни ом - единицы килоом	Единицы-десятки ом	Десятки - сотни килоом
Выходное сопротивление	Единицы - десятки килоом	Сотни _илом - единицы мегаом	Сотни ом - единицы килоом

Параметры транзистора в значительной степени зависят от температуры. Изменение температуры окружающей среды приводит к изменению рабочего режима транзистора в простой схеме усилителя при включении транзистора с общим эмиттером. Такая простая схема усилителя используется очень редко. Для стабилизации режима работы транзистора при изменении температуры используют схемы коллекторной (рис.11,12) и эмиттерной (рис.13, 14) стабилизации режима работы транзистора.

Рис.10 Рис.11.