Курсовая работа: Расчет и конструирование АМ передатчика

Iэо=Iко+Iбо=7.1 А. (3.15)

Напряжение смещения на эмиттерном переходе:

0.04 Ом; (3.16)

2.37 В.(3.17)

где Еотс – напряжение отсечки, равное для кремниевых транзисторов 0.5¸0.7 В.

Рисунок 3.2 – Эквивалентная схема входного сопротивления транзистора

Определяем значения Lвх_ОЭ , rвх_ОЭ , Rвх_ОЭ , Cвх_ОЭ в эквивалентной схеме входного сопротивления транзистора (см.рис.3.2), принимая барьерную ёмкость активной части коллекторного перехода Ск.а=0.25×Ск:

Lвх_ОЭ =Lб+Lэ/c=2.9 нГн; (3.18)

rвх_ОЭ =×[(1+g1(q)×2×p×fт×Ск.а×Rэк.ном)×rб+rэ+g1(q)×2×p×fт×Lэ]=

=1.03 Ом; (3.19)

Rвх_ОЭ =×[rб+(1+g1(q)×bо)×rэ]-rвх_ОЭ +Rд×[1-g1(q)]=8.7 Ом; (3.20)

Свх_ОЭ =bо/(2×p×fт×Rвх_ОЭ )=4.1 нФ. (3.21)

Резистивная и реактивная составляющие входного сопротивления транзистора:

rвх=rвх_ОЭ +=1.184 Ом; (3.22)

Xвх=2×p×f×Lвх_ОЭ -=-0.532 Ом. (3.23)

Рисунок 3.3 - Эквивалентные входные сопротивление и ёмкость транзистора

Эквивалентные входные сопротивление и ёмкость транзистора (см.рис.3.3):

Rвхэк=rвх+(Xвх/rвх)² =1.424 Ом; (3.24)

Свхэк==1.508 нФ. (3.25)

Рисунок 3.4 - Эквивалентные выходные сопротивление и ёмкость транзистора

Для получения эквивалентной выходной ёмкости транзистора (см.рис.3.4) произведём расчёт ряда вспомогательных параметров:

h=1+40×Iэо×rб/bо=4.15; (3.26)

M=40×Iэо×rб/h=28; (3.27)

ef=f/fт=0.167; (3.28)

m==4.8. (3.29)

Эквивалентная выходная ёмкость транзистора: