Курсовая работа: Расчет и проектирование МДП-транзистора

U_{ЗИ пор} U_пор U_GS(th) V_T — пороговое напряжение

U_{ЗИ отс} U_отс U_GS(off) — напряжение отсечки

V_ox — падение напряжения на окисном слое

V_Т — пороговое напряжение

V_SS — напряжение, приложенное к подложке

μ — коэффициент усиления

2.3 Расчет параметров МДП-транзистора

Исходные данные для расчетов:

- ширина п/п структуры Z_к =1500·10^{-4 см;}

- длина канала L_k =6·10 ^-4 см;

- толщина оксидного слоя (изолятора затвора) d=0,16·10^{-4 см ;}

- концентрация акцепторов в подложке N_a =6·10¹⁵ см ^-3 ;

- поверхностная плотность зарядов N_пов =1,2·10¹¹ см ^-2 ;

- толщина истока h_ис?