Курсовая работа: Расчет трансформаторного усилителя

Задание для курсовой работы по дисциплине "Электроника"

Студенту 3 курса факультета ЭАСХП Марич Александру Ярославовичу № 03137

Рассчитать двухкаскадный трансформаторный усилитель мощности, выполненный на кремниевых транзисторах структуры p-n-p по условиям задачи 2.3 учебного пособия.

Исходные данные для расчета:

Сопротивление нагрузки Rн 25 Ом

Диапазон рабочих частот fн 20 кГц

fв 18 кГц

Мощность сигнала в нагрузке Pн 0.15 Вт

Коэффициент частотных искажений Мн=Мв 1.41

Коэффициент гармоник К 0.3

Коэффициент температурной нестабильности S 5

Глубина обратной связи F 1.5

Температура окружающей среды Т ºС 40

Напряжение питания Е 9 В

Расчет однотактного трансформаторного усилителя мощности

Задача. Трансформаторный усилитель построенный на схеме, должен развивать в нагрузке Rн мощность входного сигнала Pн при температуре окружающей среды Т. Рабочий диапазон частот усилителя от fн до fв при допустимых частотных искажениях Мв, Мн. Для уменьшения нелинейных искажений усилитель охвачен цепью общей последовательности отрицательной обратной связи по напряжению (RосСос), глубиной F.

Выбрать транзисторы и рассчитать параметры элементов схемы, обеспечив, при этом температурную стабилизацию рабочей точки каждого каскада с коэффициентом нестабильности S. Вычислить амплитуду входного напряжения и мощность, потребляемую усилителем от источника входного сигнала. Определить к. п. д. усилителя и полный ток, потребляемый от источника питания напряжением Е.

Порядок расчета

По заданной величине Pн из таблицы 1.4.1 определяем к.п.д трансформатора и рассчитываем выходную мощность каскада

Рвых= Pн / ηтр=0.15/0.7=0.21 Вт

ηтр-КПД трансформатора

Находим максимальную мощность, рассеиваемую коллектором транзистора VT2

Pk.т.= Рн/(ηк* ηтр) =(2.5…3.5) Рн=3*0.15=0.45 Вт

ηк-КПД коллекторной цепи

Выбираем транзистор VT2 по величине РК макс, UКЭ макс и fгр, учитывая особенность трансформаторного каскада, а также рекомендации раздела 1.8

Тип транзистора	Материал	h11Э, кОм	h21Э, кОм	h22б, мкОм	fh21Э, мГц	Iкмах, А	UкЭмах, В	∆Т, К	РК.макс, мВт
Si

Оцениваем работоспособность выбранного транзистора в заданных температурных условиях

РК.макс=(Тn-Т)/2*RК.n-к

Т-температура окружающей среды, К

--> ЧИТАТЬ ПОЛНОСТЬЮ <--