Курсовая работа: Расчет усилительного резистивного каскада на биполярных транзисторах

∆UБЭ =0,06(В) и ∆IБ =0,0005(А) - определяются по входной характеристике.

При определении rВХ по входным характеристикам транзистора приращения ∆U и ∆I находят на участке ВАХ IБ = f (UБЭ ) при UКЭ ≠0, прилегающим к точке покоя П (в окрестности точки покоя П).

Для проверки правильности расчетов вычисляют значение эквивалентного сопротивления RЭКВ в цепи базы транзистора:

==310 (Ом)

Необходимо, чтобы выполнялось условие:

RЭКВ =(2ч5)·rВХ .;

RЭКВ =2,58* rВХ =2,58*120= 310 (Ом)

12. Емкость конденсатора СЭ рассчитывается исходя из того, что для нижней частоты f Н полосы пропускания XСЭ ≈0,1RЭ , откуда:

==2000 мкФ

13. Входное сопротивление усилительного каскада определяется:

=

14. Ёмкости конденсаторов С1 и С2 определяются:


=

=

15. Ёмкость конденсатора СФ выбирают такой, чтобы на частоте f =50Гц промышленной сети выполнялось условие:

XСФ <<RФ .

Можно принять, что XСФ =0,1RФ , тогда

откуда =

где f=50Гц, но это без учета коэффициента сглаживания q.

16. Расчет СФ с учетом коэффициента сглаживания q:

а). Определяем нагрузку фильтра:

=

б). Определяем коэффициент KФ :

=

в). Значение емкости СФ с учетом коэффициента сглаживания q будет:


= , где f =50Гц.

17. Коэффициент усиления по напряжению будет:

=,

где RН~ ==

К-во Просмотров: 417
Бесплатно скачать Курсовая работа: Расчет усилительного резистивного каскада на биполярных транзисторах