Курсовая работа: Расчет усилительного резистивного каскада на биполярных транзисторах
∆UБЭ =0,06(В) и ∆IБ =0,0005(А) - определяются по входной характеристике.
При определении rВХ по входным характеристикам транзистора приращения ∆U и ∆I находят на участке ВАХ IБ = f (UБЭ ) при UКЭ ≠0, прилегающим к точке покоя П (в окрестности точки покоя П).
Для проверки правильности расчетов вычисляют значение эквивалентного сопротивления RЭКВ в цепи базы транзистора:
==310 (Ом)
Необходимо, чтобы выполнялось условие:
RЭКВ =(2ч5)·rВХ .;
RЭКВ =2,58* rВХ =2,58*120= 310 (Ом)
12. Емкость конденсатора СЭ рассчитывается исходя из того, что для нижней частоты f Н полосы пропускания XСЭ ≈0,1RЭ , откуда:
==2000 мкФ
13. Входное сопротивление усилительного каскада определяется:
=
14. Ёмкости конденсаторов С1 и С2 определяются:
=
=
15. Ёмкость конденсатора СФ выбирают такой, чтобы на частоте f =50Гц промышленной сети выполнялось условие:
XСФ <<RФ .
Можно принять, что XСФ =0,1RФ , тогда
откуда =
где f=50Гц, но это без учета коэффициента сглаживания q.
16. Расчет СФ с учетом коэффициента сглаживания q:
а). Определяем нагрузку фильтра:
=
б). Определяем коэффициент KФ :
=
в). Значение емкости СФ с учетом коэффициента сглаживания q будет:
= , где f =50Гц.
17. Коэффициент усиления по напряжению будет:
=,
где RН~ ==