Курсовая работа: Разработка мини-станции для автоматического управления насосом
2) разъёмы типа 2РМ3–2.
2.3 Расчет радиоэлементов по схеме электрической принципиальной
Рассчитаем резисторы в базовых и коллекторных цепях ключевых транзисторных каскадов на транзисторах VT1, VT2, VT3.
1) Задаём рабочий ток светодиодов Iр =8 (мА).
2) Напряжение насыщения транзистора VT1=0,3 (В).
3) Падение напряжения на резисторе R6 составит:
UR 6 =Епит -Uдиода -Uнас. ;
UR 6 =12В-1,7В-0,3В=10 (В).
4) Величина сопротивления коллекторного резистора:
R6=UR 6 /Ip ;
R6=10В/8мА=1,25 (кОм).
5) Из ГОСТированного ряда сопротивлений выбираем номинал:
R6=1,2 (кОм).
6) Определим мощность рассеивания на резисторе R6:
PR 6 =I2 p ·R6;
PR 6 =(8мА)2 · 1,2кОм=76,8 (мВт).
Окончательно выбираем резистор R6 МЛТ – 0,125–1,2кОм±10%.
7) Определим средний ток базы транзистора VT1:
Iб =Ip /Рср ;
Iб =8мА/60=0,133 (мА).
Следовательно, чтобы обеспечить ток коллектора I=8 (мА) ток базы транзистора должен удовлетворять условию:
Iб >=0,133 (мА).
С другой стороны выходной ток логического элемента для микросхемы К561ЛА7 не должен превышать Iн <1 (мА).
Выберем величину тока базы Iб =0,75 (мА).
8) Определим величину сопротивления резистора R4:
R4=(U«лог1» -Uбэ )/Iб ;
R4=(12В-0,6В)/0,75мА=15,2 (кОм).
Выберем номинал из ГОСТированного ряда R4=15кОм.
9) Определяем мощность рассеивания на резисторе R4: