Курсовая работа: Резисторы

Расчетную длину резистора определяют исходя из формулы (1).

Для составления топологического чертежа определяют вначале промежуточные значения ширины и длины резистора, учитывающие технологические отклонения размеров:

b_пром = b_расч – 2Δ_трав – αx_j (7)

b_пром = l_расч – 2Δ_трав – αx_j (8)

где Δ_трав – погрешность, вносимая за счет систематического растравления контактных окон в окисле (для типовых технологических процессов Δ_трав = 0,1 – 0,5 мкм); αx – погрешность, вносимая за счет ухода базовой (эмиттерной) диффузии под окисел в боковую сторону. Через α обозначен коэффициент, учитывающий распределение примесей вблизи границы резистора, причем обычно 0 ≤ α ≤ 2. Для резисторов шириной более 10 мкм боковой диффузией можно пренебречь (α = 0). В более узких резисторах боковая диффузия оказывает значительное влияние, поэтому в расчеты необходимо вводить соответствующую поправку.

Затем выбирают шаг координатной сетки d(d = 0,l; 0,2; 0,5; 1 мм) и, задаваясь масштабом 100:1, 200:1 и т. д., определяют топологические значения ширины и длины резистора:

b_топ = K_b d ≥ b_пром (9)

l_топ = K_l d ≥ b_пром (10)

где К_b , K_l – целые положительные числа.

После этого оценивают получающуюся погрешность

γ_R = [R(l_топ , b_топ ) – R] / R,(11)

где R(l_топ , b_топ ) – сопротивление, рассчитанное по (1) при l– l_топ ; b= b_топ .

Если ׀γ_R ׀ > γ_{R зад} , то ширину резистора увеличивают на величину dи все вычисления повторяют.

3.3. Расчет полупроводниковых резисторов.

Все расчеты проводятся по упрощенной схеме с использованием табличных значений из справочника. Выбираем ширину базовой области для резистора:

1) Низкоомные резисторы с номиналом R ≤ 1 кОм имеет ширину базовой области β = 30 мкм;

2) Высокоомные резисторы с номиналом от 1 кОм до 5 кОм (1 кОм ≤ R ≤ 5 кОм) выполняются с шириной базового слоя β = 20 мкм;

3) Высокоомные резисторы с номиналом R > 5 кОм выполняются с шириной базовой области β = 15 мкм.

Таким образом, достигается воспроизводимость параметров резисторов в объеме партии вследствие малого влияния боковой диффузии и погрешностей технологических операций.

Из справочных данных принимаем следующие величины удельного поверхностного сопротивления ρ_s :

1) при 100 Ом ≤ R ≤ 300 Ом ρ_s =120 Ом/□

2) при 300 Ом ≤ R ≤ 2,5 кОм ρ_s =222 Ом/□

3) при 3 кОм ≤ R ≤ 4 кОм ρ_s =320 Ом/□

4) при 5 кОм ≤ R ≤ 10 кОм ρ_s =240 Ом/□

Составим таблицу значений (таблица 3)

Таблица 3

Позиция	R 1	R 2	R 3	R 4
Номинал, Ом	2500	8000	2000	100
Ширина диффузионной области β, мкм	20	15	20	30
Удельное поверхностное сопротивление, ρs , Ом « 1 2 3 4 5 » К-во Просмотров: 759 Бесплатно скачать Курсовая работа: Резисторы >>> Скачать <<< Меню Поиск