Курсовая работа: Розробка топології і конструкції гібридної інтегральної схеми типу Підсилювач НЧ К2УС372quo

3. Вибір технологічного процесу

Суть товстоплівкової технології полягає в тому, що на діелектричну підкладку через трафарет послідовно наносять і вжигають шари різних провідникових, резистивних і діелектричних паст. В результаті отримують шари заданої конфігурації, які служать для формування провідників, резисторів і конденсаторів товстоплівкової мікросхеми. В якості матеріалу підкладки, як правило, використовують кераміку з розвиненою шорсткою поверхнею для підвищення сил зчеплення плівки з підкладкою.

За технологічним принципом виготовлення гібридних інтегральних мікросхем ділять на товстоплівкові і тонкоплівкові. При виготовленні товстоплівкових мікросхем на ізолюючу підкладку наносять через сітку-трафарет провідникові, резистивні і діелектричні композиції з подальшим вжиганням (резистори, конденсатори, індуктивності, провідники). Товщина плівок, що наносяться, створюючих елементи мікросхеми, складає одиниці і десятки мікрометрів.

Процес виготовлення товстоплівкових мікросхем починають з підготовки поверхні підкладки і трафаретів, потім на підкладку наносять необхідний малюнок шарів. Після кожного циклу нанесення відповідного шару останній обпалюють для закріплення його на підкладці і надання заданих властивостей матеріалу шару.

При температурі близько 700 С паста вжигається в керамічну підкладку. Для виготовлення товстоплівкових схем окрім провідникової пасти використовуються резистивні і діелектричні пасти, які також обпалюються. Транзистори і діоди (безкорпусні або в корпусах) приєднуються до контактних площадок на підкладці мікросхеми.

4. Вибір матеріалу

У мікросхемі використовуються резистори різного номіналу, тому вибираються різні резистивні пасти з додатку А для забезпечення необхідного опору. Для цього розбиваємо резистори на три групи (таблиця 3).

Таблиця 3

1 група			2 група			3 група
Назва	Опір	Потужність	Назва	Опір	Потужність	Назва	Опір	Потужність
R3	45 Ом	10 мВт	R2,6	5КОм	1,8 мВт	R1	15КОм	5,4 мВт
R9	100 Ом	1 мВт	R4	850 Ом	5 мВт	R5	10КОм	2 мВт
R13,15	25 Ом	5 мВт	R7	2,9КОм	1 мВт	R8	20КОм	8 мВт
R10,12	4КОм	12 мВт
R11	3КОм	8,8 мВт
R14	1,5КОм	20 мВт

Для кожної групи визначають оптимальне значення питомого опору резистивної пасти за виразом:

(1)

де – номінал і-го резистора,

n – число резисторів.

Резистивна паста для першої групи вибирається на основі розрахунку:

Резистивна паста для другої групи вибирається на основі розрахунку:

Резистивна паста для третьої групи вибирається на основі розрахунку:

За розрахованим значеннямви обирають відповідно додатку А пасту із питомим опором, найближчим до розрахованого.

Резистивна паста для розробки резисторів першої групи ПР-100:

, ,

Резистивна паста для розробки резисторів другої групи ПР-3к:

, ,

Резистивна паста для розробки резисторів третьої групи ПР-20:

, , .

Провідникова паста ПП-3 товщина шару 15..25 мкм

Сіталова підложка.

5. Розрахунок товстоплівкових резисторів