Курсовая работа: Широкополосный усилитель
Нагрузочные прямые по постоянному и переменному токам представлены на рисунке 4.4.
Рисунок 4.4- Нагрузочные прямые для дроссельного каскада
Мощности, рассеиваемая на транзисторе, потребляемая каскадом и выходная, аналогично определяются по выражениям (4.8), (4.9) и (4.10):
Видно, что мощность рассеивания равна потребляемой.
По формуле (4.11) рассчитаем КПД дроссельного каскада:
Проведем сравнительный анализ двух схем. Энергетические характеристики резистивного и дроссельного каскадов представлены в таблице 4.1.
Параметр | Еп, В | Ррас, Вт | Рпот, Вт | Iко, мА | Uкэо, В | h, % |
Резистивный каскад | 26.6 | 3.168 | 9.363 | 352 | 9 | 13.7 |
Дроссельный каскад | 9 | 1.584 | 1.584 | 176 | 9 | 40.4 |
Таблица 4.1 – Энергетические характеристики резистивного и дроссельного каскадов
Сравнивая энергетические характеристики двух каскадов, можно сделать вывод, что лучше взять дроссельный каскад, так как он имеет наименьшее потребление, напряжение питания и ток, а также более высокий КПД.
4.2 Выбор транзистора выходного каскада
Выбор транзистора осуществляется по следующим предельным параметрам:
предельный допустимый ток коллектора
;(4.12)
предельное допустимое напряжение коллектор-эмиттер
(4.13)
предельная мощность, рассеиваемая на коллекторе
;(4.14)
граничная частота усиления транзистора по току в схеме с ОЭ
.(4.15)
Требованиям (4.12), (4.13), (4.14) и (4.15) удовлетворяет транзистор КТ911А [3]. Основные технические характеристики этого транзистора приведены ниже.
Электрические параметры:
-граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с ОЭ МГц;
-статический коэффициент передачи тока в схеме с ОЭ ;
-постоянная времени цепи ОС при UКБ=10В, IЭ=30мА tОС=25пс
-емкость коллекторного перехода при В пФ.
Предельные эксплуатационные данные:
-постоянное напряжение коллектор-эмиттер В;
-постоянный ток коллектора мА;